自进入深圳市萨科微半导体公司（www.slkormicro.com）转眼马上一年时间了，非常庆幸有缘来到朝气蓬勃的电子元器件行业和兴旺发达的萨科微半导体公司。这一年在宋仕强先生的带领下做了不少事情也学到了很多，对自己是一次锻炼，在这里做一下总结和展望明年的工作。

稳压二极管是由pn结的反向击穿特性表现出的稳压性能制成的器件，又称齐纳二极管或反向击穿二极管，在电路中起到稳压的作用。它利用二极管反向击穿后，在一定的反向电流范围内，反向电压不随反向电流变化的特性来稳定电压。

MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于压控半导体器件，具有输入电阻高10^7~10^12Ω）、低噪声、低功耗、动态范围大、易集成、无二次击穿、安全工作区宽等优点，现已成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两个晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，而且是无触点开关的快速接通或切断，实现将直流电变成交流电的逆变，把一个频率的交流电变成另一个频率的交流电等等。

可控硅作为交流元器件的一种，有双向和单相可控硅，由于双向可控硅双向性，因此在正负电源均可以导通，因此经常被用于交流调节负载电路当中，双向可控硅一般的控制方式过零触发以及移相触发两种。

目前，电动车基本上是每个家庭必不可少的交通工具之一，电动车的安全驾驶也非常重要。随着科技的发展，各种电动车及配件都采用了新的安全监控技术，尤其适用于霍尔元器件、电流传感器等传感器。

当电流在磁场中流经半导体时，会在与电流成直角的方向上产生电压(霍尔电压)。这种现象被称为霍尔效应。霍尔元件是一种利用霍尔效应的磁探测元件。霍尔元素由InSb（锑化铟）和GaAs（砷化镓）制成。根据弗莱明右手定则，线圈可以通过磁场的变化产生电动势。

并联使用IGBT有以下几个原因 第一：需求降低成本。以两点平为例，直接购买赛米控等厂商的成品模块固然可提高产品稳定性，但相应的成本增加超出了普通公司的承受能力。使用多模块并联可以明显降低成本。一般电流越大，IGBT价格越高，可供选择的供应商越少，价格居高不下。相反，低电流IGBT的厂家很多，量产时间长，价格低。

IGBT电源模块由IC、各种驱动保护电路、高性能IGBT芯片和新型封装技术驱动，从复合电源模块PIM发展到智能电源模块IPM、电力电子积木PEBB、电源模块IPEM。PIM正向高压大电流方向发展，产品等级为1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车的VVVF变频器。平面低电感封装技术是PEBB以大电流IGBT模块为有源器件，用于舰船上的导弹发射装置。IPEM采用共烧陶瓷多芯片模块技术组装PEBB，大大降低了电路布线电感，提高了系统效率。智

IGBT模块可以看作是IGBT单管的功能改进和升级。它们的应用领域基本相同。但是，由于集成了各种驱动和保护电路，IGBT模块的安装极大地方便了用户。随着新包装技术的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的应用领域。