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扩产、扩产!2家SiC/GaN企业又增新项目

发布时间:2022-03-17作者来源:萨科微浏览:443

据《无锡日报》报道,10月7日,有19个集成电路重大项目落户无锡,总投资达 303.4亿 元,其中包括 基本半导体晶湛半导体 的2个第三代半导体项目。        

基本半导体:

总部项目签约

据介绍,基本半导体签约建设 车规级 第三代半导体研发制造总部项目。
     “三代半风向”此前报道提到,该项目正在建设当中,预计2021年底通线,2022年中进入量产 。     除了该项目外,基本半导体还有3个产线建设正在开展:   ▲南京浦口制造基地已于2020年3月开工建设,预计2021年底通线,主要进行 碳化硅外延片 的工艺研发和制造;   ▲北京亦庄共建的 6英寸碳化硅晶圆产线 将于今年第四季度实现量产;   ▲深圳坪山第三代半导体产业基地已于2020年底开工建设,预计2023年投产,年产能将达 200万只碳化硅器件

晶湛半导体:

氮化镓外延项目落户

同时,晶湛半导体的 氮化镓外延材料 研发和产业化项目也签约落户无锡。具体项目信息尚待公布。   除了该项目外,2021年3月,苏州工业园区还公示了“晶湛半导体的新建氮化镓外延片生产扩建项目环评文件”。该项目拟投资 2.5亿 元,建成后年产氮化镓外延片产品 50万片 。     据晶湛官网,2014年底,晶湛率先在全球首次发布商用8英寸硅基氮化镓外延片产品。截至目前,晶湛已完成A+轮融资,用于扩大生产规模,150mm的 GaN-on-Si 外延片的月产能达 1万片 。目前,晶湛已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。    而前不久,晶湛半导体还展示了12英寸、1200V的硅基GaN外延片,为采用主流的 12英寸CMOS 生产线制造GaN HEMT晶体管铺平了道路 。





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