/ EN
0755-83044319

资讯中心

information centre
资讯中心
首页 -资讯中心 -其他 -为什么MOS管容易发热?

为什么MOS管容易发热?

发布时间:2022-03-17作者来源:萨科微浏览:399

为什么 MOS管容易发热?

  在设计电源或驱动电路时,不可避免地要用到FET,也就是俗称的MOS晶体管。 MOS管的种类很多,功能也很多。使用电源或驱动,当然是利用它的开关功能。接下来我们来了解一下MOS管加热的五大关键技术。
MOS管
  1.芯片加热

  本内容主要针对内置功率调制器的高压驱动芯片。如果芯片消耗的电流为2mA,施加300V的电压,芯片的功耗为0.6W,肯定会导致芯片发热。驱动芯片的最大电流来源于驱动功率MOS晶体管的消耗,简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益,实际I=2cvf,其中C为功率MOS晶体管的cgs电容,V为功率晶体管导通时的栅极电压,所以为了降低芯片的功耗,必须想办法降低C、V、f,如果C, v和F不能改变,请想办法把芯片的功耗分给芯片外的设备。 简单来说,考虑散热更好。

  2.功率管加热

  功率管的功耗分为开关损耗和导通损耗两部分。需要注意的是,在大多数场合,尤其是LED商用电源驱动应用中,开关损伤远大于传导损耗。开关损耗与功率管的cgd和cgs、芯片的驱动能力和工作频率有关。因此,要解决功率管的发热问题,可以从以下几个方面解决:A、不能根据导通电阻单方面选择MOS功率管,因为内阻越小,cgs和cgd电容越大。比如1N60的cgs约为250pF,2N60的cgs约为350pF,5N60的cgs约为1200pF。差别太大了。选择功率管时,就足够了。b、剩下的就是频率和芯片驱动能力,这里我们只讲频率的影响。也与频率传导损耗成正比,所以功率管发热时,首先要考虑选频是否有点高。尽量降低频率!但是需要注意的是,当频率降低时,为了获得相同的负载容量,峰值电流必然会增加或者电感也会增加,这可能会导致电感进入饱和区。如果电感饱和电流足够大,可以考虑将CCM(连续电流模式)改为DCM(不连续电流模式),这需要增加一个负载电容。

  3.工作频率降低。

  这也是用户在调试时常见的现象,降频主要是两个方面造成的。输入电压与负载电压之比小,系统干扰大。对于前者,注意不要将负载电压设置得太高。虽然负载电压高,但效率会更高。对于后者,我们可以尝试以下几个方面:a、将最小电流设置为较小的点;b、清洁布线,尤其是关键路径的感观;C、选择电感的小点或者闭合磁路; D的电感,加RC低通滤波器,这个影响有点不好,C的一致性不好,而且偏差有点大,但是应该够照明用。无论怎么降低频率,都不好,只有不好,所以一定要解决。


       4.电感或变压器的选择


  很多用户回应,同样的驱动电路,A生产的电感没有问题,B生产的电感电流变小了。在这种情况下,看看电感电流波形。有工程师没有注意到这一现象,直接调整感应电阻或工作频率达到所需电流,可能会严重影响LED的使用寿命。因此,在设计之前,合理的计算是必要的。如果理论计算参数与调试参数相差甚远,则需要考虑频率是否降低,变压器是否饱和。变压器饱和时,L会变小,导致传输延迟引起的峰值电流增量急剧增大,进而LED的峰值电流也会增大。在平均电流不变的前提下,我们只能看着光线逐渐变淡。

公司电话:+86-0755-83044319
传真/FAX:+86-0755-83975897
邮箱:1615456225@qq.com
QQ:3518641314 李经理  

QQ:332496225   丘经理

地址:深圳市龙华新区民治大道1079号展滔科技大厦C座809室

服务热线

0755-83044319

霍尔元件咨询

肖特基二极管咨询

TVS/ESD咨询

获取产品资料

客服微信

微信服务号