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首页 -技术交流 -印宁华
印宁华
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关于差分输入、PGA和仪表放大器及混合SOC设计,最近整理一些交流心得分享下面是微群里的聊天记录之前群里交流的内容多数还是在应用市场和商务MARCON上. 不妨换个角度,聊聊芯片内部的话题, 比如SOC, AFE, MCU 低功耗的设计.针对于数字和模拟芯片设计者,大家对一款通用器件的理解和出发点是不一样的。比如, 可能大家对仪表放大器理解的角度就会有所不同吧,将差分输入,MUX, BUFFER。
采用宏模型进行仿真电路和系统
  • 更新日期: 2022-08-12
  • 浏览次数: 34
IC 在进入市场之前可以经历数年的设计和验证周期。 系统设计工程团队在将 IC 开发成系统之前对其进行评估。 IC 宏模型可帮助系统设计人员在创建物理 PCB 之前了解、模拟并将这些设备实施到他们的系统中。
充电桩CP通信工程完整性模块
  • 更新日期: 2022-07-20
  • 浏览次数: 131
2022-06-21 深圳 南山 , 业内领先的工程类工业总线及电源完整性解决方案供应商大印蓝海发布新能源汽车充电桩CP通信滤波降噪模块 伴随我国新能源汽车利好政策陆续出台,城市交通系统纷纷推出新能源公交车,加上工厂、仓库也逐步应用新能源 AGV,充电桩的需求量日增月益。预计 2022年,我国将拥有分布式……
首款国产LSM电磁弹射-游乐过山车
  • 更新日期: 2022-07-20
  • 浏览次数: 120
广州钧明欢乐世界对外营业,由位于中山市的广东金马游乐股份有限公司(下称“金马游乐”)自主研发的、国产首台运用LSM电磁弹射技术的弹射式过山车“炫酷飞驰”在此正式亮相。这是国产第一台运用LSM电磁弹射技术的弹射式过山车。这也意味着金马游乐成为全球第三家拥有相关核心技术的游乐企业,此举打破了游乐行业运用LSM电磁弹射技术的……
新型宽禁带半导体-氧化镓
  • 更新日期: 2022-07-05
  • 浏览次数: 189
技术日新月异, 第三代宽禁带半导体技术及制造工艺发展还没有多少年,源起于日本的氧化镓被誉为第四代半导体技术已开始国内市场发育. 与SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件,因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga……
栅级驱动及工业汽车MCU
  • 更新日期: 2022-06-28
  • 浏览次数: 130
概述闸级功率放大器(Gate Driver),也称栅(闸)级驱动器,可以让控制集成电路产生的小功率讯号来驱动功率晶体(例如IGBT或是功率级MOSFET)的闸极。栅级驱动器可能是附在功率晶体上甚至集成进MCU内部,也有可能是独立的元件。栅级驱动器会包括位准转换器以及放大器电路。 目的 MOSFET和……
充电桩CP通信工程完整性模块
  • 更新日期: 2022-06-21
  • 浏览次数: 242
2022-06-21 深圳 南山 , 业内领先的工程类工业总线及电源完整性解决方案供应商大印蓝海发布新能源汽车充电桩CP通信滤波降噪模块 伴随我国新能源汽车利好政策陆续出台,城市交通系统纷纷推出新能源公交车,加上工厂、仓库也逐步应用新能源 AGV,充电桩的需求量日增月益。预计 2022年,我国将拥有分布式……
半导体硅晶圆制造
  • 更新日期: 2022-06-09
  • 浏览次数: 376
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨,抛光,切片后,形成硅晶圆片,也就是晶圆。国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。 晶圆的主要加工方式为片加工和批加工,即同时加工1 片或多片晶圆。随着半……
霍尔传感器及开关分类
  • 更新日期: 2022-06-01
  • 浏览次数: 377
什么是霍尔效应传感器? 简单地理解就是给一块半导体材料通电,并将其置于磁场中。磁通线在半导体材料上施加力,使导电材料中的电荷载流子电子和空穴偏转到半导体板的另一侧,产生电位差输出的霍尔电压经过处理,就可以获得磁场的大小、位置等信息。 初级霍尔效应传感器包括:一……
ADC参数及ENOB测试
  • 更新日期: 2022-05-19
  • 浏览次数: 489
随着数字技术的不断发展和计算机在信号处理、控制等领域中的⼴泛应⽤,过去由模拟电路实现的⼯作,今天越来越多地由数字电路或计算机来处理。作为模拟与数字之间的桥梁,模拟数字转换器(ADC)的重要性越来越突出,由此也推动了ADC测试技术的发展。 本文先介绍了ADC的测试,包括静态参数和动态参数测试,然后结合⾃动测试系统测……
5.14 大湾区半导体沙龙
  • 更新日期: 2022-05-16
  • 浏览次数: 442
5.14大湾区半导体沙龙– 创业家园篇 开始10:00am - 结束14:00 地址:深圳市南山区深南大道海岸时代东B 1302 大印蓝海工作室(一区) 连续下了数天大雨,早上起来雨停了,上午沙龙正常举办,10点开始。 前期到来的部分创业小……
FinFET晶体管设计工艺
  • 更新日期: 2022-04-13
  • 浏览次数: 543
FinFET试图克服晶体管遇到的最糟糕类型的短沟道效应,同时使芯片能够以更低的成本实现更高的性能指标。自从半导体取得突破以来,纵观集成电路设计的历史,摩尔定律——即一块硅上的晶体管数量每两年翻一番,而且将一直保持不变。随着代工厂开发越来越先进的工艺节点以满足消费者的需求,当今先进处理器上的晶体管数量达到数百亿。这与1970年代中期只有几千个晶体管的处理器相去甚远,这在当时是最先进的。 推动半导体行业发展并使今天的芯片成为可能的关键技术趋势之一是采用FinFET工艺。另一种有前途的技术是环栅(GAA)
ZVS零电压开关反激
  • 更新日期: 2022-04-11
  • 浏览次数: 593
在传统以及准谐振反激形式应用中,由于MOS导通时的电压较高(基本都在150V以上),特别是高压的输入条件下,会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰,影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式电路的出现,很好的解决了这些痛点。 先从反激应用电路开始分析,再转到ZVS零电压开关电路应用一. 反激应用中MOSF……

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