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类型:N沟道
漏源电压(Vdss):1.2kV
连续漏极电流(Id):42A
功率(Pd):300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA
栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V
输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V
反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V
工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
这是一款高压N沟道MOS管，型号为SL42N120A。该器件具有1.2kV的漏源电压，42A的连续漏极电流和300W的功率，适用于高压开关和功率转换应用。TO-247-3封装使其易于安装和使用。
主要特点：
- 漏源电压：1.2kV
- 连续漏极电流：42A
- 功率：300W
- 导通电阻：80mΩ @ 20V, 10A
- 阈值电压：3.6V @ 3.8mA
- 栅极电荷：76nC @ -5~20V
- 输入电容：1.68nF @ 800V
- 反向传输电容：6.7pF @ 800V
- 工作温度范围：-55℃~+175℃
应用：
- 高压开关应用
- 功率转换应用
封装：
- TO-247-3
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有先进的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL42N120A.pdf | SL42N120A | - |
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类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-252
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1000V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.2Ω 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@100μA 封装：TO-220
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：23.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.6Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250A
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1500V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):140W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8Ω@10V,1.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA 封装：TO-3PF
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):22A 功率(Pd):36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):150mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@1.7mA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.38Ω@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250μA 封装：TO-220F
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):18A 功率(Pd):104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):120mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.0V@250μA 封装：TO-220-3L
