这是一款高压N沟道MOS管，型号为SL42N120A。该器件具有1.2kV的漏源电压，42A的连续漏极电流和300W的功率，适用于高压开关和功率转换应用。TO-247-3封装使其易于安装和使用。
主要特点：
- 漏源电压：1.2kV
- 连续漏极电流：42A
- 功率：300W
- 导通电阻：80mΩ @ 20V, 10A
- 阈值电压：3.6V @ 3.8mA
- 栅极电荷：76nC @ -5~20V
- 输入电容：1.68nF @ 800V
- 反向传输电容：6.7pF @ 800V
- 工作温度范围：-55℃~+175℃
应用：
- 高压开关应用
- 功率转换应用
封装：
- TO-247-3
关于萨科微 Slkor：
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商，拥有*的技术和严格的质量控制体系，为客户的设计提供*佳的解决方案和支持。
| 文件名称 | 标题 | 说明 |
|---|---|---|
| SL42N120A.pdf | SL42N120A | - |
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高压MOS管SL10N65F是一款N沟道MOS场效应管，主要用于高压开关电源、电机控制、照明等领域。它具有漏源电压高、导通电阻小、工作可靠性好等特点。
SL7N65F高压MOS管是由萨科微Slkor生产的高性能功率MOSFET，设计用于承受高电压并在高功率应用中提供高效的电流控制。这款MOSFET以其*的电气特性和耐用性，在高压开关和功率放大应用中表现*。
萨科微slkor高压MOS管SL87N120A是一款高性能的N沟道高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、大电流应用而设计。它采用*的半导体工艺制造，具有*的电气特性和高可靠性，是电力电子系统、电机驱动、电源转换及工业控制等领域的理想选择。该器件凭借其*的电气性能，能够有效地提升系统效率，降低能耗，并简化电路设计。
萨科微slkor高压MOS管SL8N65F是一款专为高压应用设计的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其*的高压承受能力和稳定的电气性能，使其成为众多高电压、低电流电子系统的理想选择。该器件以其高效、可靠的特性，在电力转换、开关控制等领域发挥着重要作用。
SL13N45F是一款高压N沟道MOS管，主要应用于电源管理和电机控制等领域。其漏源电压高达450V，连续漏极电流可达13A，*大功率为39W。导通电阻为470mΩ@10V,5.5A，阈值电压为4V@250uA，可在高压条件下稳定工作。
SL13N50FS是萨科微slkor一款高性能N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用。该器件具有优秀的低导通电阻、低开关损耗和快速开关速度，可提高系统效率和可靠性。
SL11N65CF1 是萨科微（Slkor）生产的 N沟道MOS场效应管，专为要求高电压和中等功率的应用而设计。其*的电气性能和可靠性使其成为多种场合下的理想选择。
SL8N100F 是一款由萨科微（Slkor）生产的 N沟道 MOS场效应管，专为高电压负载开关和功率管理应用而设计。其 TO-220F 封装和适度功率性能使其适用于各种工业和电源应用。
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