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类型:N沟道
漏源电压(Vdss):1.2kV
连续漏极电流(Id):42A
功率(Pd):300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@20V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id):3.6V@3.8mA
栅极电荷(Qg@Vgs):76nC@-5~20V
输入电容(Ciss@Vds):1.68nF@800V
反向传输电容(Crss@Vds):6.7pF@800V
工作温度:-55℃~+175℃@(Tj)
这是一款高压N沟道MOS管,型号为SL42N120A。该器件具有1.2kV的漏源电压,42A的连续漏极电流和300W的功率,适用于高压开关和功率转换应用。TO-247-3封装使其易于安装和使用。
主要特点:
- 漏源电压:1.2kV
- 连续漏极电流:42A
- 功率:300W
- 导通电阻:80mΩ @ 20V, 10A
- 阈值电压:3.6V @ 3.8mA
- 栅极电荷:76nC @ -5~20V
- 输入电容:1.68nF @ 800V
- 反向传输电容:6.7pF @ 800V
- 工作温度范围:-55℃~+175℃
应用:
- 高压开关应用
- 功率转换应用
封装:
- TO-247-3
关于萨科微 Slkor:
萨科微 Slkor是一家致力于提供高品质、高性能半导体器件的制造商,拥有先进的技术和严格的质量控制体系,为客户的设计提供最佳的解决方案和支持。
文件名称 | 标题 | 说明 |
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SL42N120A.pdf | SL42N120A | - |
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