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MOS场效应管
高压MOS管
类型: N沟道
漏源电压(Vdss): 1.2kV
连续漏极电流(Id): 42A
功率(Pd): 300W
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ@20V,10A
阈值电压(Vgs(th)@Id): 3.6V@3.8mA
栅极电荷(Qg@Vgs): 76nC@-5~20V
输入电容(Ciss@Vds): 1.68nF@800V
反向传输电容(Crss@Vds): 6.7pF@800V
工作温度: -55℃~+175℃@(Tj)
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