萨科微 SL7N65F 沟道 MOSFET：650V 耐压 7A TO‑220 高压功率场效应器件

SL7N65F 为 N 沟道高压功率 MOSFET，提供 TO-220FT、TO-220C 两种通孔封装，器件耐压 650V，25℃壳温条件下连续漏极电流 7A。该 MOSFET 具备低栅极电荷、低反向传输电容 CRSS，开关速度优异，全部器件经过 100% 雪崩测试，拥有较强的抗 dv/dt 能力。器件适用于高频开关电源、半桥电子镇流器、LED 电源等电力变换场景，需要配合散热器使用来控制结温，保障功率变换电路稳定可靠运行。

一、核心产品参数

若无特殊说明，测试条件：壳温 Tc=25℃，结温 Tj=25℃。

1. 极限电压电流参数

• 漏源极击穿电压 V_DSS：650V；
• 连续漏极电流 I_D：壳温 25℃为 7A，壳温 100℃为 4.4A；
• 漏极脉冲电流 I_DM：28A；
• 栅源极最大电压 V_GSS：±30V。

2. 雪崩与动态耐受参数

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：429mJ；
• 重复雪崩能量 E_AR：41mJ；
• 二极管反向恢复最大电压变化速率 dv/dt：5V/ns。

3. 功率与温度参数

• TO-220FT 封装耗散功率 P_D：27.9W，25℃以上降额系数 0.22W/℃；
• TO-220C 封装耗散功率 P_D：147W，25℃以上降额系数 1.18W/℃；
• 最高工作结温 T_J：150℃；存储温度 T_STG：-55℃~+150℃；引脚焊接最高温度 T_L：300℃。

4. 热阻参数

• TO-220FT：结到壳热阻 R_th(j-c)=4.47℃/W，结到环境 R_th(j-a)=49.5℃/W；
• TO-220C：结到壳热阻 R_th(j-c)=0.85℃/W，结到环境 R_th(j-a)=60℃/W。

5. 静态电气参数

• 栅极阈值电压 V_GS(th)：2.5V~4.5V；
• 导通电阻 R_DS(ON)（V_GS=10V，I_D=3.5A）：最大 1.4Ω；
• 漏源漏电流 I_DSS：V_DS=650V 条件下最大 1μA；
• 正向跨导 g_FS典型值 5.5S。

6. 电容与栅电荷动态参数

• 反向传输电容 C_RSS典型值 16pF；输入电容 C_ISS典型 950pF；输出电容 C_OSS典型 108pF；
• 总栅极电荷 Q_G典型 30nC；栅源电荷 Q_GS典型 5nC；栅漏电荷 Q_GD典型 15nC。

7. 体二极管参数

• 体二极管正向连续电流 I_S：7A，脉冲正向电流 I_SM：28A；
• 正向压降 V_SD（I_S=7A）典型 1.4V；反向恢复时间 t_rr典型 436ns，反向恢复电荷 Q_rr典型 8.7μC。

8. 封装订货信息

• SL7N65F：TO-220FT 封装，条管包装，器件典型重量 2.2g；
• SL7N65C：TO-220C 封装，条管包装，器件典型重量 2.15g；
• 引脚定义：1-栅极 G，2-漏极 D，3-源极 S；两款型号均为非无卤素产品。

二、产品核心特性

1. 低总栅极电荷 Q_G以及低反向传输电容 C_RSS，减小开关损耗，适合高频开关工况。
2. 开关速度快，适合高频功率变换电路。
3. 器件 100% 经过雪崩测试，具备非钳位感性负载开关 UIS 耐受能力，抗浪涌冲击可靠性高。
4. 具备高 dv/dt 耐受能力，降低桥臂应用中误导通风险。
5. 内置体二极管，可承担续流工作；体二极管具备一定反向恢复特性。
6. 符合 RoHS 环保要求，提供两种通孔 TO-220 封装，适配不同散热设计需求。

三、主要应用领域

1. 高效率开关模式开关电源；
2. 基于半桥架构的电子灯镇流器；
3. LED 驱动电源；
4. 其他 650V 电压等级的功率变换电路。

四、工程设计使用建议

1. 器件选型：根据电路最大工作电压、稳态电流、峰值电流、散热条件选择封装。TO-220C 热阻更低，适合大功率散热条件，TO-220FT 适合功率较小的场景。电路工作电压需要预留足够电压余量，不得超过 650V 额定耐压。
2. 散热与降额：该 MOSFET 必须配套散热器使用，不能裸机运行；壳温超过 25℃后，按照规格书降额曲线降低器件允许耗散功率；运行过程中结温 T_J严禁超过 150℃。
3. 栅极驱动设计：推荐驱动电压 10V；合理配置栅极电阻 R_G，R_G过小开关速度过快会带来过高 dv/dt、EMI 干扰；R_G过大会增大开关损耗。栅极驱动电压不能超过 ±30V。
4. 体二极管使用：体二极管反向恢复会产生开关损耗，高频续流场景评估反向恢复损耗，必要时增加外置快恢复二极管。
5. 雪崩工况：即使器件经过 100% 雪崩测试，也不能长期持续工作在雪崩状态；重复雪崩工况下，需要严格控制 E_AR参数。
6. PCB 与装配工艺：功率回路走线尽量短粗，降低回路寄生电感；焊接引脚温度不能超过 300℃；引脚 1 栅极注意远离功率大电流走线，降低耦合干扰，避免 MOSFET 误导通。
7. 安全工作区 SOA：实际工作点必须落在器件安全工作区内，脉冲工作时关注脉冲时长与占空比限制。

五、产品总结

SL7N65F 是耐压 650V，7A 等级的 N 沟道高压功率 MOSFET，拥有 TO-220FT、TO-220C 两种通孔封装。低栅电荷、低 C_RSS的特性使其适合高频开关应用，100% 雪崩测试保证器件在感性负载工况下可靠性。主要用于开关电源、LED 电源、半桥电子镇流器。硬件设计时需要做好散热降额，合理设计栅极驱动，控制功率回路寄生参数，限制结温，避免长期雪崩工作，保障整机系统稳定运行。

萨科微Slkor：以可靠技术，赋能工业基石