碳化硅（SiC）器件已经成为下一代低损耗半导体可行的候选器件，与传统的硅器件相比，碳化硅（SiC）器件拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能。此外，SiC让设计人员能够减少元件的使用，从而进一步降低了设计的复杂程度。 SiC元器件的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗，从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。