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誓与台积电比高低!三星未来要砸1000亿美元在代工领域

发布时间:2022-03-10作者来源:萨科微浏览:946

在今天芯动科技主办的2021 国产IP与定制芯片生态大会上,三星半导体总监YK Lee在发言中指出,到2030年,三星将在代工领域投资1000亿美元,将三星打造为真正的代工巨头,覆盖接口、汽车、移动、消费和高性能处理器领域。
    YK Lee的PPT显示,三星将在2023年量产3nm GAA工艺技术。

他表示在每一代工艺上,三星都有改进

  几天前,三星宣布3nm GAA流片成功。在3nm节点,三星选择了下一代工艺技术——GAA环绕栅极晶体管,通过使用纳米片设备制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多桥-通道场效应管),该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。     根据三星的说法,与5nm制造工艺相比,3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了约30%。
  从他公布的数据看,每一代技术在速度、面积和功耗上都后明显的改进。
    三星早在2019年就公布了3nm GAA工艺的PDK物理设计套件标准,这次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的,双方联合验证了该工艺的设计、生产流程,是3nm GAA工艺的里程碑。
  YK Lee表示三星代工是面向所有主流领域
    针对AI和高性能计算,三星有完整的解决方案,分别是高级工艺、高级封装和高级ip。     在高级封装上,半导体领头羊都有自己的技术,台积电有CoWoS,Intel有Foveros。三星的3D封装技术叫X-Cube。     X-Cube的全称是eXtended-Cube,意为拓展的立方体。在Die之间的互联上面,它使用的是成熟的TSV工艺,即硅穿孔工艺。目前三星自己的X-Cube测试芯片已经能够做到将SRAM层堆叠在逻辑层之上,通过TSV进行互联,制程是他们自家的7nm EUV工艺。三星表示这样可以将SRAM与逻辑部分分离,更易于扩展SRAM的容量。另外,3D封装缩短了Die之间的信号距离,能够提升数据传输速度并提高能效。   X-Cube可灵活应用于未来芯片之上,包括5G、AI和高性能计算等领域的芯片均可使用该技术。三星表示X-Cube已经在自家的7nm和5nm制程上面通过了验证,计划和无晶圆厂的芯片设计公司继续合作,推进3D封装工艺在下一代高性能应用中的部署。这个短视频介绍了这个技术。   三星也有自己的高级代工生态计划(SAFE)如在SAFE EDA领域,三星有12个合作伙伴,在SAFE IP 领域,三星有52个合作伙伴。     芯动科技就是三星的IP合作伙伴,主要在GDDR6,LPDDR4X等存储器和接口方面合作。     他表示三星会加大EUV产线,5月21日,三星宣布计划提高其在韩国平泽市新生产线的晶圆代工生产能力。三星电子指出,该生产线已于本月开始建设,将专注于基于EUV的5纳米及以下工艺技术,预计将于2021年下半年全面投入生产。     根据规划,三星将于今年下半年开始在华城工厂开始批量生产5nm EUV工艺。加上平泽工厂,三星将在韩国和美国总共拥有7条晶圆代工生产线,其中包括6条12英寸生产线和1条8英寸生产线。   与7nm EUV工艺对比,三星5nm EUV工艺的性能提升10%,功耗降低了20%,逻辑面积效率提升25%。   总之,未来三星将是台积电强劲对手,目前在美国和韩国,三星都有高端300mm晶圆厂。
 




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