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芯片厂商BCD工艺介绍

发布时间:2022-10-13作者来源:萨科微浏览:3861


BCD指的是Bipolar-CMOS-DMOS,其中的Bipolar是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管,CMOS是用于设计数字控制电路的互补金属氧化物半导体,DMOS是用于开发电源和高压开关器件的双扩散金属氧化物半导体。


图片几纳米跟BCD工艺的几纳米完全同维度

几纳米跟BCD工艺的几纳米完全是两个维度和不的事物,没有任何可比性。

当下,BCD工艺的主要发展方向有三种,分别是:

1、高压BCD方向

电压范围是500-700瓦,利用轻掺杂的外延层制作器件,使表面电场分布更加平坦从而改善表面击穿的特性,使击穿发生在体内而非表面,从而提高器件的击穿电压,可用于电子照明和工业应用的功率控制。

2、高功率BCD方向

电压范围是40-90V,主要的应用为汽车电子。它的需求特点是大电流驱动能力、中等电压,而控制电路往往比较简单。

3、高密度BCD方向

主要电压范围是5-50瓦,主要用于汽车电子应用。

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从1985年BCD推出工艺,至今已经过去35年并经历了九次技术迭代,产出500万片晶圆,售出400亿颗芯片,仅2020年就售出近30亿颗芯片,第十代BCD技术即将开始投产。

那么经过30多年的发展,意法半导体不断升级BCD工艺,从[敏感词]代的4微米发展到了第九代的0.11微米以及第十代的90纳米。

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经过35年的发展,意法半导体开发了一系列对全球功率IC影响深远的BCD工艺,如BCD3(1.2微米)、BCD4(0.8微米)、BCD5(0.6微米)。

意法半导体目前提供三种主要的BCD技术,包括BCD6(0.35微米)/BCD6s(0.32微米)、BCD8(0.18微米)/BCD8s(0.16微米和BCD9(0.13微米)/BCD9s(0.11微米),其第十代BCD工艺将采用90纳米。

BCD6和BCD8还提供SOI工艺选项。

在BCD工艺方面,我国各晶圆制造公司BCD工艺发展情况,其中在去年6月份,晶圆大厂华虹半导体就宣布,其 90nm BCD工艺在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。

华虹半导体

华虹半导体基于成熟的CMOS工艺平台,目前提供的BCD工艺平台电压涵盖1.8V到700V,工艺节点涵盖90纳米/0.13微米/0.18微米/0.35微米/0.5微米/0.8微米/1.0微米,在0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来,华虹半导体将继续发挥在BCD和eNVM特色工艺上的技术优势,提供二者的集成方案,为智能化电源产品,打造高端电源管理系统级芯片(SoC)

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华润微

华润微基于自有的主流工艺平台,在功率模拟工艺技术方面推出的BCD工艺解决方案,广泛应用于各新兴市场,包括电源管理、LED驱动、汽车电子以及音频电路等。

华润微的BCD工艺平台始于2007年推出的700V CDMOS工艺,2011年推出700V HV BCD工艺,2013年完成600V HVIC工艺平台研发,到2020年一共完成了五代硅基700V HV BCD工艺的研发和量产。华润微BCD工艺平台电压涵盖5V到700V,工艺节点涵盖0.18微米/0.25微米/0.8微米/1.0微米,可满足高电压、高精度、高密度不同应用的全方位需求,同步提供200-600V SOI基BCD工艺选项。

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士兰微

在BCD工艺技术平台研发方面,士兰微依托于5/6英寸、8英寸和12英寸晶圆生产线,建立了新产品和新工艺技术研发团队。

基于士兰集成的5/6英寸生产线开发0.8微米和0.6微米的BCD电路工艺平台已经稳定运行15年,2007年1月士兰微发布[敏感词]采用士兰集成BCD工艺制造的高效率功率LED驱动电路。

基于士兰集昕8英寸生产线的0.25微米的BCD电路工艺平台和0.18微米的BCD电路工艺平台相继建成,开始批量产出。

基于士兰集科12英寸生产线BCD电路工艺平台也在研制中。

中芯国际

中芯国际有超过10年的模拟芯片/电源管理芯片大规模生产经验,技术涵盖了0.35微米到0.15微米。除了保持面向手机和消费类电子的低压BCD工艺平台持续升级外,针对工业和汽车应用的中高压BCD平台和车载BCD平台也在开发中,同时开展了90纳米BCD工艺平台开发,为高数字密度和低导通电阻的电源管理芯片提供解决方案。

最近的中芯国际55nmBCD工艺的消息,来自近日中芯国际发布的2022半年报,其中提到,55纳米BCD工艺(高压显示驱动平台)已经完成平台开发,并导入客户,实现批量生产。

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BCD工艺的主要应用在电源管理、显示驱动、汽车电子、工业控制等领域。近年来,全球智能化的发展速度越来越快,在显示驱动和电源管理两大市场驱动下,BCD工艺备受关注,有越来越多的公司进入该领域,进行相关工艺和产品的开发。所以,BCD工艺作为一种先进的单片集成工艺技术,具有广阔的市场前景。

通过国人的努力早日先把车规级芯片市场份额牢牢把控在自己手里,BCD工艺突破55纳米已经领先国际先进制造了,再技术继续保持领先性。





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