SiC MOSFET的桥式结构

这里展示的电路图是使用SiC MOSFET构建的同步式升压电路中最简单的桥式结构。在这个电路中，SiC MOSFET的高侧（HS）和低侧（LS）交替导通，为了避免它们同时导通，设置了两个SiC MOSFET均为OFF状态的死区时间。右下方的波形图展示了门极信号（VG）的时序。在这个电路中，HS和LS MOSFET的漏极-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）的波形如下图所示。这种波形表示了电感L中的电流处于连续动作状态，也就是所谓的硬开关状态。

横轴表示时间，时间范围Tk（k=1～8）的定义如下：

T1： LS为ON时、MOSFET电流变化的时间段

T2： LS为ON时、MOSFET电压变化的时间段

T3： LS为ON时的时间段

T4： LS为OFF时、MOSFET电压变化的时间段

T5： LS为OFF时、MOSFET电流变化的时间段

T4～T6： HS变为ON之前的死区时间

T7： HS为ON的时间段（同步整流时间段）

T8： HS为OFF时、LS变为ON之前的死区时间