由于反相器版图设计简单，器件数量很少，所以本文后面的演示依然使用Layout L工具，关于Layout XL工具的使用大家可以自行试验。  
  调入NMOS和PMOS晶体管之后，选中器件，按下快捷键q按照原理图中的尺寸编辑器件属性，使MOS管的W、L与原理图中保持一致。     在编辑器件属性的时候可以根据器件尺寸调整器件形态，比如单个器件W太大时不利于版图布局，可以调整器件插指(Fingers)数量和插指宽度(Finger Width)之间的关系，只要器件的总宽度(Total Width)与设计值保持一致就可以。
 
  调用PDK的器件也可以选择是否添加栅极接触孔(Gate Connection)和是否连接源漏(S/D Connection, 只对多插指结构有用)，这些PDK提供的功能可以让用户方便地画版图。    

调整好尺寸和布局的器件如图所示，下面开始实现器件间的连线，在LWS栏中选择M1, 然后使用快捷键p或者r, 完成MOS管之间的连线，把AVDD和AVSS的线分别预留在上下位置，最后使用快捷键l, 为连线节点命名（使用与metal相对应的txt层，比如：M1TXT层）。完成以上步骤之后，版图看上去应该和下图中的截图相似。

  以上完成了器件之间的连线，剩下的一项内容可能不容易理解，也是很多初学者容易忽视的地方，就是给NMOS和PMOS加上衬底接触。那么何为衬底接触呢？
 
  我们都知道MOS是一个四端器件，这个在原理图中也可以注意到，版图中的衬底接触就是MOS的第四端，这一端对于NMOS来说就是整个芯片的衬底（只对标准CMOS工艺来讲），对于PMOS就是NWell，所以NMOS的衬底接触做在p plus上，PMOS的衬底接触做在NWell上，衬底接触的实现在反相器的截面图中也可以清楚地看到。     完成的反相器版图如上图左侧所示，器件的衬底接触也可以直接在器件属性编辑栏中，选择：Bodytei Type类型，然后选择衬底接触的放置位置，这种衬底接触由PDK自动实现，用起来很方便。
 
 

完成以上步骤之后，可以在版图设计界面选择：Edit->Advanced->Move Origin, 选择版图的坐标原点，这样在以后需要调用的时候会更方便。

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