IGBT 模块封装的关键技术可括为：

1.无引线互联（键合 / 烧结）—— 电流与可靠性核心

铜键合、铝带键合、银烧结替代传统铝丝键合，降低接触电阻与热阻，提升大功率模块的电流密度与抗热循环能力。

2.高导热绝缘基板（DBC/AMB）—— 散热核心

采用陶瓷基 DBC/AMB 基板，实现电气隔离与高效导热。基板参数与工艺直接决定模块热阻与抗热冲击能力，解决大功率散热瓶颈。

3.超薄焊接层制备 —— 热阻与可靠性核心

真空 / 超声焊接实现芯片 - 基板、基板 - 底板的超薄、均匀、无空洞焊层，降低热阻，分散热应力，避免焊层开裂，延长寿命。

4.应力缓冲结构设计 —— 抗疲劳核心

针对芯片、基板、底板的 CTE 不匹配，采用缓冲金属层、柔性互联、弹性封装等设计，分散热应力，防止封装级失效，提升抗热循环能力。

5.气密性封装与表面钝化 —— 环境可靠性核心

分功率选择金属 / 环氧树脂封装，配合 SiNₓ、聚酰亚胺钝化层，隔离外界环境，防止电极氧化、绝缘下降。封装材料性能直接影响长期可靠性。

6.多芯片集成与布局优化 —— 功率密度核心

对称布局集成 IGBT 与 FWD 芯片，优化布线、减小寄生电感，提升功率密度与动态性能。布局对称性影响均流效果，寄生电感决定开关尖峰与EMI。

【简介】