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为什么高压IGBT模块常采用陶瓷外壳?
2026-04-17 157
  高压IGBT模块采用陶瓷外壳,核心是陶瓷的高绝缘强度、优异导热性与稳定的化学特性,可满足高压场景下的绝缘、散热与长期可靠性要求。

  高压应用场景下,IGBT模块需承受数千伏的电压应力,陶瓷材料(如Al₂O₃、AlN、Si₃N₄)的绝缘强度可达15-30kV/mm以上,远超塑料封装,能有效防止沿面放电与击穿风险;同时陶瓷热导率(AlN可达170-230W/m·K,Si₃N₄达80-90W/m·K)接近金属材料,可将芯片产生的热量快速传导至散热器,降低结温并提升功率密度。化学稳定性方面,陶瓷耐酸碱腐蚀、抗紫外线老化,在-40℃至150℃的宽温域内保持机械强度与尺寸稳定性,适应工业与轨道交通等严苛环境。此外,陶瓷与硅芯片、铜金属的热膨胀系数匹配度优于有机材料,减少热循环应力导致的封装失效。陶瓷外壳通常与金属化层共烧形成DBC(直接覆铜)或AMB(活性金属钎焊)基板,实现芯片的电气互联与机械支撑一体化,成为高压大电流IGBT模块的主流封装方案。

【公司简介】


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