MOS管参数解析及国内外大厂技术对比

MOSFET的单位面积导通电阻和优值系数(FOM)参数代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET厂商产品参数展示的关键指标，也是体现MOSFET芯片制造工艺核心技术能力的关键指标。

通常来说，MOS管的单位面积导通电阻值和优值系数值越低表示其性能越好。而超低压MOSFET不关注优值系数，单位面积导通电阻值和漏极击穿电压之间存在取舍关系，因此对于超低压MOSFET选取单位面积导通电阻值和漏极击穿电压作为比较指标。

单位面积导通电阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件导通状态下，单位面积的电阻值，数值越低表示单位面积功耗越低，电流密度越高；

漏极击穿电压(BVDSS)，是器件漏极所能承受的最高电压，该数值越高越好，但是提高漏极击穿电压会导致单位面积导通电阻增加;

优值系数(Ron*Qg)，导通电阻Ron决定了导通状态下的静态损耗，栅极电荷Qg决定了开关损耗，通常用Ron与Qg的乘积来表征MOSFET器件的性能水品，该值越低代表技术水品越高。

根据各官方网站发布的产品关键参数以及性能，松下FCAB21890L、松下 FCAB22620L、英飞凌BSZ0506NSATMA1、英飞凌 IQE013N04LM6、英飞凌 IAUT260N10S5N019、英飞凌IPA60R160P7 可代表其同类型产品的国际顶尖技术水平。