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萨科微 SL2312 N 沟道功率 MOSFET:20V 耐压 5A SOT‑23 功率开关场效应管

一、核心产品参数
极限额定值(环境温度 25 摄氏度)
- 漏源电压:20V
- 栅源电压:8V
- 连续漏极电流:5A
- 脉冲漏极电流:18A
- 器件总耗散功率:1250mW
- 结温最大工作温度:150 摄氏度
- 存储温度范围:-55 摄氏度至 150 摄氏度
电气特性(环境温度 25 摄氏度)
- 漏源击穿电压最小值 20V
- 栅极阈值电压区间 0.45V-1.2V
- 体二极管正向压降最大值 1.5V
- 零栅压漏极电流常温最大 1uA,55 摄氏度条件下最大 10uA
- 栅体漏电流最大 100nA
- 栅源电压 4.5V、5A 工作条件下,导通电阻最大 25mΩ
- 栅源电压 2.5V、2A 工作条件下,导通电阻最大 35mΩ
- 栅源电压 1.8V、1A 工作条件下,导通电阻最大 50mΩ
- 输入电容典型值 650pF,输出电容典型值 120pF
- 开通时间典型值 20ns,关断时间典型值 60ns
封装尺寸
器件采用 SOT-23 贴片封装,封装主体长度 2.800-3.000 毫米,主体宽度 1.200-1.400 毫米,器件整体高度 0.900-1.150 毫米。
二、产品核心特性
- 具备较高电流承载能力,可满足 5A 连续电流工作,短时脉冲电流最高支持 18A。
- 不同栅极驱动电压下导通电阻表现优异,在 2.5V 低栅压驱动依旧可以维持较低导通电阻,适配低压驱动电路。
- 采用 SOT-23 表面贴装封装,占用 PCB 板面积小,适合小型化电子产品。
- 产品为无铅规格,符合无铅制造相关要求。
- 开关时间短,开通、关断速度快,适合开关类电路使用。
三、主要应用领域
- 电池保护电路,用于锂电池等储能设备的过流、放电通路管控。
- 各类电子设备负载开关,实现回路的通断控制。
- 消费电子、小型设备内部电源管理相关电路。
四、工程设计使用建议
- 电路实际工作漏源电压需要预留余量,不可长时间贴近 20V 极限耐压运行,避免器件击穿损坏。
- 栅源电压不可超过 8V,过高栅压会造成栅介质层永久性损伤,器件失效。
- 器件耗散功率会受环境温度影响,环境温度升高后,器件允许的持续工作功率需要降额使用,控制结温不超过 150 摄氏度。
- 该器件存在体二极管,反向电流流过体二极管时,需要关注二极管正向压降带来的发热问题。
- 进行开关电路设计时,需要考虑器件输入、输出电容带来的开关损耗,匹配合理的栅极驱动电阻,优化开关噪声与开关速度。
- 脉冲电流 18A 仅为短时脉冲工况,不可作为长期持续工作电流使用,脉冲条件需要满足规格书的脉冲宽度以及占空比约束。
五、产品总结
SL2312 是 SOT-23 封装的 N 沟道功率 MOSFET,拥有 20V 耐压、5A 连续电流规格,低压驱动条件下导通电阻性能优秀,封装体积小巧。器件综合参数适配电池保护、负载开关、电源管理等中小功率开关场景,适合空间受限的消费类电子产品电源回路设计,使用时需要严格遵循器件极限参数做降额设计,保障电路长期稳定运行。
萨科微Slkor:以可靠技术,赋能工业基石
萨科微Slkor深谙工业领域对元件可靠性、一致性与耐久性的极致要求。DSK110快恢复二极管不仅是一组参数,更是萨科微对“稳健可靠,精益求精”产品理念的践行。我们通过严格的晶圆制造、测试筛选与质量控制流程,确保每一颗交付的元件都能在客户的系统中稳定运行,经年累月。在电子技术飞速演进的道路上,不仅需要突破性能极限的“先锋”,更需要像DSK110这样在关键位置提供保障的“基石”。萨科微Slkor将继续专注于提供此类高性能、高可靠的半导体解决方案,与工程师们共同构建更稳定、更高效的电子世界。


萨科微slkor荣誉资质和科研成果
关于萨科微slkor:
宋仕强介绍,萨科微半导体(www.slkormicro.com)华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业,主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。





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