萨科微 SL2301S P 沟道功率 MOSFET：20V 耐压 2.4A SOT‑23 功率开关场效应管

一、核心产品参数

1. 最大额定值（环境温度 25℃）

1. 漏源击穿电压：-20 V
2. 栅源电压：+8 V
3. 连续漏极电流：-2.4 A
4. 脉冲漏极电流：-10 A
5. 器件总耗散功率：900 mW
6. 结温最高值：150 ℃
7. 存储温度范围：-55 ℃ ~ +150 ℃

2. 电气特性（环境温度 25℃，脉冲宽度≤300 μs，占空比≤2.0%）

1. 漏源击穿电压：-20 V
2. 栅极阈值电压范围：-0.4 V ~ -1.5 V
3. 体二极管正向压降最大值：-1.5 V
4. 零栅压漏极电流：-10 μA ~ -1 μA（测试条件环境温度 55℃）
5. 栅极本体漏电流最大值：+100 nA
6. 栅源电压-4.5V 条件下导通电阻最大值：140 mΩ
7. 栅源电压-2.5V 条件下导通电阻最大值：200 mΩ
8. 输入电容典型值：600 pF
9. 输出电容典型值：120 pF
10. 开启时间典型值：8 ns
11. 关断时间典型值：60 ns

3. 封装

封装形式：SOT-23 表面贴装封装。

二、产品核心特性

1. 具备较强功率与电流承载能力；
2. 器件为无铅产品；
3. SOT-23 表面贴装封装，节省 PCB 板空间，适配贴片自动化焊接；
4. 在不同栅极驱动电压下都拥有较低导通电阻，降低导通损耗；
5. 开关响应速度满足常规开关电路使用需求。

三、主要应用领域

1. PWM 控制相关电路；
2. 负载开关电路；
3. 各类电源管理电路。

四、工程设计使用建议

1. 器件工作时不可超过最大额定参数，包括电压、电流、耗散功率、结温，长时间工作需要做好热设计，避免结温超出 150℃上限；存储环境温度控制在-55℃至 + 150℃区间；
2. 栅源电压最大不能超过 + 8 V，超出该电压会造成栅极氧化层损坏，器件失效；
3. 该器件存在体二极管，反向回路可利用体二极管续流，但要注意体二极管正向压降带来的损耗；
4. 开关测试参数是在窄脉冲、低占空比条件下测得，实际连续高频工作时，电容会带来额外开关损耗，需要结合实际工作频率评估发热；
5. 脉冲漏极电流仅适用于短时脉冲工况，不可作为持续工作电流使用；
6. PCB 布局尽量缩短栅极走线，降低寄生电感，抑制振荡，SOT-23 封装散热面积有限，大电流工况下可适当增加铺铜面积提升散热。

五、产品总结

SL2301S 为 SOT-23 封装 P 沟道功率 MOSFET，20V 耐压，2.4A 连续电流，导通电阻指标优异，采用无铅贴片封装，主要面向中小功率负载开关、PWM、电源管理场景，适合消费电子中小电源系统。设计应用时应当严格遵守器件最大额定条件，做好散热与 PCB 布局设计，保障器件长期稳定运行。

萨科微slkor肖特基二极管

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

宋仕强介绍，萨科微半导体（www.slkormicro.com）华强北第三家专营店于2026年8月14日隆重开业，主营MOS场效应管、电源管理IC、霍尔元件、光耦、IGBT、SiC碳化硅元器件、AC/DC、TVS、肖特基二极管、可控硅等产品。