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IGBT模块是如何进行导通的?

发布时间:2022-03-17作者来源:萨科微浏览:558

IGBT模块是如何进行导通的?

   IGBT硅片的结构与功率MOSFET非常相似。主要区别是IGBT增加了P衬底和N缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术不增加这部分)。一个MOSFET驱动两个双极性器件。衬底的应用在管的P和N区域之间产生了J1结。当正栅极偏置使栅极下的P-基区反转时,形成N沟道,同时出现电子电流,完全以功率MOSFET的方式产生电流。
IGBT
  如果这个电子流产生的电压在0.7V的范围内,那么J1会正向偏置,一些空穴会注入到N区,调整阳极和阴极之间的电阻率,减少了功率传导的总损耗,开始第二次电荷流动。结果,半导体层中暂时出现了两种不同的电流拓扑:一种是电子电流(MOSFET电流);空穴电流(双极)。

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