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Intel 5nm工艺曝光:直逼IBM 2nm

发布时间:2022-03-17作者来源:萨科微浏览:262

作为半导体工业中的核心,芯片制造是最关键也是最难的,进入10nm节点之后全球现在也就是台积电、Intel、三星三家公司选择继续玩下去。表面来看Intel的进度是最慢的,然而其他两家的工艺“水分”也不小,三星的3nm工艺密度才跟Intel的7nm差不多。  
  Digitimes日前发表了研究报告,分析了三星、台积电、Intel及IBM四家的半导体工艺密度问题,对比了10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的情况。  
   
  在10nm节点,三星的晶体管密度只有0.52亿/mm2,台积电是0.53亿/mm2,Intel已经达到了1.06亿/mm2,密度高出一倍左右。  
  7nm节点,三星的工艺密度是0.95亿/mm2,台积电是0.97亿/mm2,Intel的7nm则是1.8亿/mm2,依然高出80%以上。  
  再往后的5nm节点上,三星实现了1.27亿/mm2的密度,台积电达到了1.73亿/mm2,Intel的目标是3亿/mm2,三星与其他两家的差距愈发拉大。  
  到了3nm节点,台积电的晶体管密度大约是2.9亿/mm2,三星只有1.7亿/mm2,Intel的目标是5.2亿/mm2。  
  2nm节点没多少数据,IBM之前联合三星等公司发布的2nm工艺密度大约是3.33亿/mm2,台积电的的目标是4.9亿/mm2。  
  以上数据其实不能100%反映各家的技术水平,还要考虑到性能、功耗、成本的差距,但就摩尔定律关注的密度来看,Intel在这方面基本还是按照之前的规范走的,三星、台积电工艺宣传注水也不是什么新闻了。  
 

当然,三星这方面的浮夸可能更多一些,3nm节点的密度也不过是Intel的7nm水平,Intel的5nm工艺都能够直逼IBM 2nm水平,不知道这该说Intel太老实还是其他公司太滑头呢?





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