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强势进军现代电力电子,全面开启SiC年,推动第三代半导体高质量发展

发布时间:2022-09-14作者来源:萨科微浏览:1164

近年来,SiC(碳化硅)作为典型的第三代半导体材料,在禁带宽度、击穿电场强度、饱和电子漂移速率、热导率以及抗辐射等关键参数方面具有显著优势。现代电力电子领域对高功率、高电压、高频率具有巨大需求,是SiC功率产品的主要应用领域。SiC功率产品典型市场包括轨道交通、风电、光伏、新能源汽车及其配套充电桩、不间断电源等,应用领域广泛。






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十三所自2004年开始对SiC材料、器件进行工艺研究,与国际先进水平同步。经过多年的建设和发展,2017年4英寸SiC电力电子工艺线正式实现批产供货;为进一步扩充产能、对标国际先进,2019年我所采用改扩建方式完成了SiC电力电子6英寸工艺线。截止目前,6英寸SiC电力电子工艺线已稳定生产供货近3年。期间通过不断优化产品性能指标,我所技术团队又基于6英寸工艺线完成了第三代薄片工艺SiC SBD和第三代SiC MOSFET产品开发,产品指标均可对标国际一线品牌。







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近年来电动汽车市场快速增长,其中高压SiC MOSFET作为电动汽车主逆变器和车载充电器的核心元器件,市场需求量巨大。尤其是用于主逆变器的1200V/100A高压、大电流SiC MOSFET芯片,代表了当前SiC电力电子芯片技术的[敏感词]水平,全球范围内具备批量供货能力的厂家屈指可数。我所经过多年的技术积累和艰苦攻关,突破多项关键技术,完成了车规级1200V/100A SiC MOSFET芯片产品批量生产,导通电阻小于13mΩ,实现了160mΩ、80mΩ、40mΩ、25mΩ、15mΩ、13mΩ等产品的系列化,产品品质得到了国内多家车企的认可。


2022年,十三所大力推进碳化硅在电力电子领域运用发展,全面开启“碳化硅年”,并深入布局,围绕“技术突破”和“市场拓展”两个重点,以现有的6英寸碳化硅工艺线为硬件基础,同时布局产业化公司发展。所控股公司--北京国联万众半导体科技有限公司,作为十三所发展产业重要组成部分,以成为“国家网信事业主力军”为发展战略,以实现半导体核心器件自立自强为己任,以解决第三代半导体关键技术和实现产业化为目标,依托十三所现有人才、技术和产业基础,以国创中心(北京)为平台,集聚国内外优势资源,全球招聘一流人才,对接资本市场,加快第三代半导体工艺线规模化建设;开展封装、模块、检测、应用、科技孵化与服务等全产业链发展,力争成为国际一流的第三代半导体骨干企业。


上半年,十三所当选河北省半导体产业联盟理事长单位、河北省第三代半导体产业创新联合体理事长单位,将牵头打造河北省SiC产业链。

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第三代半导体行业即将步入千亿级黄金赛道,中国“芯”蓄势待发,中国电科十三所将把握这一历史性发展机遇,继续加大碳化硅电力电子领域研发和投入,不断推陈出新,提高产品竞争力和市场影响力,以昂扬姿态奋力谱写产业发展新篇章,以优异成绩迎接党的二十大胜利召开。



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