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萨科微SLKOR关于MOS管的电路设计技巧分享

发布时间:2022-05-26作者来源:萨科微浏览:413

萨科微SLKOR从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的国家级高新科技企业,在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时,也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等,逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。在MOS管方面萨科微SLKOR产品也得到了广泛应用,接下来进行关于MOS管驱动电路设计技巧分享:

mos管驱动电路设计技巧

SLKOR萨科微MOS管系列产品
SLKOR萨科微MOS管系列产品

1、mos管的特性及主要参数。

2、mos管的静态工作电压。

3、mos管的动态工作电压和电流。

1、在正向偏置时,mos管的导通电阻为rds(ω),反向偏置时,导通电阻为零。

2、在正向偏置下,当输入端加有正电压vcc时,输出端会通过一个反相的漏极而得到一个正的输出电压;反之输入端的负电平将通过这个漏极而得到一个负的输出信号。

3、由于栅源间的寄生电容的存在使得栅压上升的速度较慢且幅度较小(约100mv左右)。因此要提高驱动能力就必须加大栅压以提高其耐流能力.

4、对于单级双列直插式结构的双极性三极管而言,若采用高内阻的单向型器件作基极的话则必须考虑如何减小基极到集电极之间的跨导gdt的问题.

5、对于多级双列直插结构的晶体管来说应尽量使各层间相互隔离以免造成短路现象的发生

6、对具有双向性的晶体二极管而言应注意防止反向击穿

7、对具有单向性的晶体管而言要注意防止静电感应引起的损坏

8、注意保护二极管

9、注意保护场效应管

10、选择适当的电源供电方式

11、合理地选用开关元件

12、正确地选用散热器

13、合理地选择使用环境

14、避免过高的温度影响

15、避免过强的电场影响

16、避免过大的磁场作用

17、避免不当的操作过程

18、其他注意事项

以上也就是关于MOS管驱动电路设计的一些技巧,正因为萨科微技术团队的专业,已经对萨科微SLKOR高中低压的MOS管可控硅、桥堆等功率器件,肖特基二极管ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用二极管三极管,和电源管理芯片、霍尔HALL传感器、高速光耦等系列产品的严格把关,才有了质量过硬的产品,让萨科微在如今疫情及市场环境的双重压力下,仍旧能保持着上升的趋势,为中国芯的强大和中华民族的伟大复兴贡献力量!

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