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2023中国IC设计成就奖新鲜出炉,兆易创新一举斩获三项桂冠

发布时间:2023-03-31作者来源:兆易创新GigaDevice浏览:1436


兆易创新今日宣布,在2023年度中国IC设计成就奖颁奖典礼暨中国IC领袖峰会上,凭借着出色的技术突破能力和产品创新能力荣获“十大中国IC设计公司”奖项。与此同时,旗下GD5F1GM7存储器和GD32F470微控制器分别获得了“年度[敏感词]存储器”和“年度[敏感词]MCU”两大热门IC产品类奖项。


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中国IC设计成就奖是中国半导体领域的[敏感词]盛典之一,至今已连续举办了二十一年,能获得IC设计成就奖的表彰,充分体现了获奖企业的行业领先地位和卓越的产品研发及服务支持能力。


匠心铸就品质,实力成就荣耀


GD5F1GM7是兆易创新推出的新一代24nm工艺制程的NAND Flash存储器产品,提供3V和1.8V两种电压版本。该系列优化了产品设计,内置8bit ECC模块,可达到10年数据保持,8万次擦写寿命。频率[敏感词]可达133MHz,支持DTR功能,极大提高了产品的传输速度。1.8V产品支持Deep power down模式,待机功耗可低至1uA,对于低功耗需求有巨大优势。在封装设计上,该系列提供了更小的WSON8 6mmx5mm封装,进一步减小了存储芯片在PCB上的芯片面积,能够为IoT、穿戴类等新兴消费类市场应用提供高性价比,大容量的代码储存方案。


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GD32F470系列高性能MCU基于Arm® Cortex®-M4内核,主频高达240MHz,可支持算法复杂度更高的嵌入式应用,并具备更快速的实时处理能力。GD32F470配备了512KB到3072KB片上Flash,256KB到768KB的SRAM,具备业界领先的大容量存储优势。在制造工艺方面,此MCU采用40nm工艺制程,可以降低动态和静态功耗,从而有效延长电池供电系统的使用时间。另外,GD32F470系列继承了GD32F4系列丰富的通信接口和增强型安全功能,与现有GD32F4系列产品完全兼容,支持开发者在现有设计上实现无缝切换,能够轻松推动高端应用转换和研发升级。


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十数年砥砺前行,荣誉与市场双赢


兆易创新自2005年成立便持续深耕IC设计产业,致力于构建以存储器、微控制器、传感器及模拟产品业务为核心驱动力的完整生态,公司产品被广泛应用于计算、网络、消费电子、手机、车载、物联网、工业等市场,并且凭借严格的质量标准和要求,产品性能和品质始终保持行业领先水准,备受国内外客户认可。


兆易创新NOR Flash在中国市场占有率为[敏感词],全球市场排名前三,累计出货量超190亿颗,年出货量超28亿颗;而GD32MCU作为中国32位通用MCU领域的主流产品,以38个系列450余款产品选择,覆盖率稳居市场前列,并且累计出货量已超过10亿颗。


连续多年被授予“十大中国IC设计公司”称号是一项崇高的荣誉,它既代表了兆易创新十余年砥砺前行不改初心的努力成果,同时也激励着公司向着更高、更远、更大的舞台奋力前行。作为一路见证并推动中国半导体行业发展壮大的企业,兆易创新将秉承 “开放创新、使命必达”的核心价值观,致力于用优秀的产品与完善的服务助力行业伙伴阔步前行。



免责声明:本文采摘自“兆易创新GigaDevice ”,本文仅代表作者个人观点,不代表萨科微及行业观点,只为转载与分享,支持保护知识产权,转载请注明原出处及作者,如有侵权请联系我们删除。

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