萨科微推出 SLESD5341N：DFN1006 封装的高效 ESD 防护解决方案

2025-08-11 15:43:33 7

在智能终端普及与高速数据传输需求激增的当下，电子设备面临的静电放电（ESD）风险日益凸显。据行业数据显示，每年因 ESD 导致的电子设备故障占比超 20%，尤其在 5G 通信、物联网终端等高频场景中，ESD 防护已成为保障设备稳定性的核心环节。萨科微（Slkor）敏锐捕捉这一需求，推出SLESD5341N ESD 保护二极管，以紧凑封装与*性能为各类电子设备构建可靠防护屏障。

SLESD5341N-正面(1)

静电保护二极管SLESD5341N产品图

SLESD5341N 是萨科微专为高可靠性场景设计的 ESD 保护器件，采用先进工艺实现高效静电防护。其核心参数表现亮眼：反向工作电压（VRWM）达 5.0V，反向击穿典型电压（VBR）为 7.5V，能在保障正常电路运行的同时快速响应过压冲击；正向钳位电压（VC）仅 10V（1A 脉冲下），可有效限制瞬态电压，保护后端敏感电路。此外，10pF 的结电容（CJ）与 0.1μA 的反向漏电流（IR），使其在高频信号传输中兼具低干扰与低功耗优势，*适配高速数据链路场景。

在防护性能上，该器件通过 IEC 61000-4-2 标准认证，接触放电可达 ±25kV，空气放电达 ±30kV，单线路峰值脉冲电流（8/20μs）最高 5A，配合 < 1ns 的响应时间，能瞬间压制静电干扰。其采用的 DFN1006 封装（尺寸 1.00×0.60×0.45mm），相比传统 MLV（0402）封装更节省空间，且支持无铅焊接工艺（260℃峰值温度），符合 MSL 1 与 ROHS 合规要求，适配自动化量产流程。

产品优势集中体现在三大维度：

全场景防护能力：从消费电子到工业设备，均能抵御高强度 ESD 冲击，降低故障风险；

高频兼容性：10pF 低结电容对高速信号传输影响极小，适配 10/100/1000Mbps 以太网、DVI 等接口；

能效与集成优势：0.1μA 超低漏电流延长设备续航，DFN1006 封装助力高密度 PCB 布局，满足轻薄化设计需求。

SLESD5341N规格书

静电保护二极管SLESD5341N规格书

SLESD5341N相关参数

静电保护二极管SLESD5341N相关参数

应用领域覆盖多类电子设备：串口与并口、笔记本电脑、服务器、投影电视、手机及配件、便携式仪器，尤其在高速以太网与数字视觉接口（DVI）中表现突出，为数据密集型传输提供稳定防护。

萨科微防护器件产品线负责人表示：“SLESD5341N 的设计核心是平衡‘高性能防护’与‘低系统影响’。通过优化封装与电气参数，我们让这款器件既能应对极端 ESD 环境，又不影响高频信号完整性，这正是对当前电子设备‘小型化、高速化’趋势的*回应。”

目前，SLESD5341N 已实现稳定量产，采用 7 英寸卷带包装（每卷 10,000 颗），支持批量采购。如需技术手册或样品，可访问萨科微官网（TVS-肖特基二极管-霍尔元件-可控硅-MOS管 - 深圳市萨科微半导体有限公司）获取。

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萨科微slkor静电保护二极管（ESD）

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萨科微slkor荣誉资质和科研成果

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