萨科微超低电容ESD阵列PRTR5V0U2X：为5 V高速链路筑起“隐形”防线

2025-08-19 14:05:24 2

萨科微（Slkor）推出的 PRTR5V0U2X 超低电容 ESD 二极管阵列，以 0.6 pF 典型线间电容、15.5 V 钳位、5 V 工作窗口与 1 µA 漏电流，为 5 V 系统提供几乎“隐形”的静电与瞬态防护。

未命名

它的首要使命，是在 ESD、电缆放电 (CDE) 或电快速瞬变 (EFT) 抵达敏感引脚前，把能量瞬间导入地平面，充当高速信号与外部浪涌之间的“隐形盾牌”。传统 TVS 为了提升耐量往往抬高电容，结果拖慢边沿；PRTR5V0U2X 通过硅雪崩工艺把电容与钳位同时压低，成为数字电视、机顶盒、笔记本与移动计算设备中的“静默守护者”。

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萨科微Slkor静电保护二极管SMBJ12CA‌规格书

*保护窗口

• VRWM：5 V——与 USB-2.0、MDDI 信号摆幅*重合，日常不会误触发

• VBR min：6 V——高于最高工作电平 1 V，留出安全余量又不浪费钳位空间

这一 5 V↔6 V 的紧凑区间，确保数据线在高速切换时不被拉低，也能在浪涌来临时及时导通。

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萨科微Slkor静电保护二极管SMBJ12CA‌相关参数

低钳位、低应力

官方数据显示，在 1 A、8/20 µs 脉冲下 VC 仅 15.5 V，比常见 5 V I/O 耐压上限低一截，可将瞬态应力压缩到芯片安全区以内；若浪涌升至 5 A，钳位抬至 25 V，仍远低于多数 CMOS 端口的*额定值。

0.6 pF 线间电容

实测 CJ(line-line)=0.6 pF（typ），CJ(line-GND)=1.2 pF（max），在 1 MHz、0 V 偏置下测得。如此低的电容让 3 GHz 以内插入损耗保持在可忽略范围，确保 USB-HS 眼图张得足够开；对 480 Mbps 信号更是游刃有余。

1 µA 漏电流

25 °C、5 V 反偏下 IR 仅 1 µA（max），相比毫安级负载可忽略，为电池供电的便携设备延长待机时间。器件通过 UL 94V-0 级塑封，-55 °C~+150 °C 工作温区，足以应付车规或工业级环境。

SOT-143 微型封装

2.9 mm × 1.3 mm 的 4 引脚封装，比传统 SOT-23 省一半面积；260 °C/10 s 高温回流兼容，7 英寸卷带每盘 3000 颗，方便高速贴片。引脚采用雾锡镀层，符合 RoHS 与 MSL 1 要求。

典型应用舞台

• 数字电视：USB 升级端口、HDMI 边带信号

• 机顶盒：USB 2.0 OTG、1394 火线

• 笔记本电脑：USB-A/C 口、MDDI 摄像头排线

• 手持终端：键盘背光灯控制线、SIM 卡座数据线

• 车载娱乐：IVI USB Hub、摄像头链路

布局与实战建议

将器件放在距连接器 ≤ 5 mm 处，走线越短越能降低寄生电感。

差分线对称出线，阻抗维持 90 Ω±10 %，下方完整参考层开窗后直接与 TVS GND 焊盘相连，避免“绕路”地线。

若需仿真，可在萨科微官网(www.slkoric.com)下载 S 参数、IBIS-AMI 及 SPICE 模型，直接导入 ADS、Sigrity 或 HFSS，对通道眼图、COM、BER 进行全链路验证；FAE 团队 24 h 内响应，支持现场 ESD 枪实测与联合调试。

PRTR5V0U2X 以 0.6 pF 线间电容、15.5 V 钳位、5 V/6 V 精确保护窗与 1 µA 漏电流，为 5 V 高速数字接口树立了“无感”ESD 保护的新坐标，让下一代更轻更薄、更高速也更可靠的电子产品拥有坚实而静默的防护屏障。

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萨科微slkor静电保护二极管（ESD）

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萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

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