/ EN
0755-83044319

技术交流

Technology Exchange
技术交流
首页 -技术交流 -其他 -模拟集成电路设计流程——版图设计基础(二)

模拟集成电路设计流程——版图设计基础(二)

发布时间:2022-03-18作者来源:萨科微浏览:450



  由于反相器版图设计简单,器件数量很少,所以本文后面的演示依然使用Layout L工具,关于Layout XL工具的使用大家可以自行试验。  
  调入NMOS和PMOS晶体管之后,选中器件,按下快捷键q按照原理图中的尺寸编辑器件属性,使MOS管的W、L与原理图中保持一致。     在编辑器件属性的时候可以根据器件尺寸调整器件形态,比如单个器件W太大时不利于版图布局,可以调整器件插指(Fingers)数量和插指宽度(Finger Width)之间的关系,只要器件的总宽度(Total Width)与设计值保持一致就可以。
 
  调用PDK的器件也可以选择是否添加栅极接触孔(Gate Connection)和是否连接源漏(S/D Connection, 只对多插指结构有用),这些PDK提供的功能可以让用户方便地画版图。    

调整好尺寸和布局的器件如图所示,下面开始实现器件间的连线,在LWS栏中选择M1, 然后使用快捷键p或者r, 完成MOS管之间的连线,把AVDD和AVSS的线分别预留在上下位置,最后使用快捷键l, 为连线节点命名(使用与metal相对应的txt层,比如:M1TXT层)。完成以上步骤之后,版图看上去应该和下图中的截图相似。

  以上完成了器件之间的连线,剩下的一项内容可能不容易理解,也是很多初学者容易忽视的地方,就是给NMOS和PMOS加上衬底接触。那么何为衬底接触呢?
 
  我们都知道MOS是一个四端器件,这个在原理图中也可以注意到,版图中的衬底接触就是MOS的第四端,这一端对于NMOS来说就是整个芯片的衬底(只对标准CMOS工艺来讲),对于PMOS就是NWell,所以NMOS的衬底接触做在p plus上,PMOS的衬底接触做在NWell上,衬底接触的实现在反相器的截面图中也可以清楚地看到。     完成的反相器版图如上图左侧所示,器件的衬底接触也可以直接在器件属性编辑栏中,选择:Bodytei Type类型,然后选择衬底接触的放置位置,这种衬底接触由PDK自动实现,用起来很方便。
 
 

完成以上步骤之后,可以在版图设计界面选择:Edit->Advanced->Move Origin, 选择版图的坐标原点,这样在以后需要调用的时候会更方便。





免责声明:本文转载自“EETOP”,本文仅代表作者个人观点,不代表萨科微及行业观点,只为转载与分享,支持保护知识产权,转载请注明原出处及作者,如有侵权请联系我们删除。

公司电话:+86-0755-83044319
传真/FAX:+86-0755-83975897
邮箱:1615456225@qq.com
QQ:3518641314 李经理  

QQ:332496225   丘经理

地址:深圳市龙华新区民治大道1079号展滔科技大厦C座809室

服务热线

0755-83044319

霍尔元件咨询

肖特基二极管咨询

TVS/ESD咨询

获取产品资料

客服微信

微信服务号