【每日一品】CZT5551硅晶体管：高压放大器应用的理想选择

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2023-07-19 21:00:25 927

在萨科微（www.slkoric.com）总经理宋仕强先生的强力带领下，萨科微从一家电子元器件功率器件IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。目前国产功率半导体已在众多领域应用，特别是低端产品，如萨科微的TVS二极管ESD二极管、三极管晶闸管、非车规低压MOSFET、可控硅、桥堆等产品，已初现规模化效应，“国产替代”率相对较高等特点,市场份额还在不断提高。今天介绍的是萨科微slkor三极管CZT5551。

萨科微slkor三极管介绍与应用

三极管的外形特征：一般三极管只有三根引脚，每根引脚之间不能相互代替。这三根引脚可以按等腰三角形分布，也可以一字形排列。各引脚的分布规律在不同封装类型的三极管中不同。三极管的体积有大有小，一般功率放大管的体积较大，且功率愈大其体积愈大，体积大的三极管约有手指般大小，体积小的三极管只有半个黄豆大小。一些金属封装功率放大管只有两根引脚，它的外壳作为第三根引脚集电极。有的金属封装高频放大管是四根引脚，第四根引脚接外壳，这一引脚不参与三极管内部工作。如果是对管，外壳内部有两只独立的三极管，有6根引脚。有些三极管外壳上需要附加装散热片，这主要是功率放大管。

萨科微slkor三极管CZT5551产品图

CZT5551型是一种NPN硅晶体管，采用外延平面工艺制造，并通过环氧树脂封装在表面安装中。这款晶体管专为高压放大器应用而设计，具备*的性能和可靠性。它广泛应用于各种需要抗击穿电压的通用应用场景，例如电话等。

CZT5551具有以下参数：

·晶体管类型：NPN

·集射极击穿电压(Vceo)：160V

·集电极电流(Ic)：600mA

·功率(Pd)：1.5W

·集电极截止电流(Icbo)：50nA

·集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：200mV@50mA,5mA

·特征频率(fT)：100MHz

·工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

萨科微slkor三极管CZT5551参数

CZT5551的高击穿电压使其成为高压放大器应用的理想选择。它可以在160V的电压下正常工作，保证了电路的稳定性和可靠性。同时，它的集电极电流(Ic)高达600mA，功率(Pd)为1.5W，能够满足大部分高压应用的需求。在开关和放大功能方面，CZT5551表现*。它的集电极截止电流(Icbo)仅为50nA，这意味着即使在关闭状态下也有非常低的漏电流，有助于节省功耗和提高电路效率。此外，它的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)为200mV@50mA,5mA，保证了在开启状态下具有较低的电压降，从而减少能量损耗。

特征频率(fT)是衡量晶体管高频性能的重要指标之一。CZT5551的特征频率为100MHz，表明它在高频应用中具备*的表现，能够满足大部分通信设备和电子产品对高频响应的要求。此外，CZT5551的工作温度范围为-55℃~+150℃@(Tj)，在极端环境下依然能够可靠工作，适应各种应用场景的需求。

综上所述，CZT5551型NPN硅晶体管是一款针对高压放大器应用设计的优秀产品。它具备高击穿电压、高集电极电流和低截止电流等特点，适用于高电压开关和放大功能的应用。无论是在电话通信领域还是其他高电压应用中，它都是一个可靠的选择。随着科技的不断发展，CZT5551有望在更多的领域发挥出其优势，为半导体元器件行业带来更多可能性。

关于萨科微slkor

深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际*的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。在金航标kinghelm（www.kinghelm.net）萨科微总经理宋仕强先生的强力带领下，萨科微从一家电子元器件功率器件IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网www.slkormicro.com在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时，也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等，逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一，为了服务好华强北的客户，萨科微最近还在华强北开设了第二家”slkor”品牌的直营店！

CZT5551至产品详细网页

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