【每日一品】萨科微半导体WNM2021：低压N沟道MOS管助力便携设备与DC/DC转换器

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2024-03-07 22:17:05 961

近日，比亚迪汽车公司掀起了一场价格战的风暴，引领了国内车市竞争的新阶段。2月28日，比亚迪汉唐荣耀版车型正式上市，其价格区间分别在17万至24万元之间。面对比亚迪的挑战，其他国产车企和合资车企纷纷做出反应，3月3日这一天内就有9家车企宣布*，包括长安启源、哪吒汽车、上汽大众、吉利等知名品牌，且*范围涵盖各自主力车型。比亚迪在这场价格战中提出了“电比油低”的口号，强调新能源车是未来发展的趋势，仍有较大的发展空间。新能源汽车产业的崛起离不开半导体元器件的支持，这为像萨科微（www.slkormicro.com）这样的半导体公司带来了机遇。萨科微作为一家在半导体领域深耕多年的企业，拥有丰富的产品线，包括二极管、三极管、功率器件、电源管理芯片等系列产品，近年还推出了霍尔元件、模拟器件等新品，并在传感器、Risc-v单片机等领域进行布局。这些半导体产品在新能源汽车领域发挥着重要作用，为推动行业技术的不断创新和发展提供了有力支持。

萨科微半导体碳化硅场效应管

近年来，随着电子设备的普及和多样化需求的增长，半导体器件作为电子产品的核心组成部分，发挥着越来越重要的作用。在这个领域中，萨科微半导体以其先进的技术和丰富的产品线，不断推出具有*性能的半导体器件，为各行各业的电子设备提供了稳定高效的解决方案。其中，低压MOS管WNM2021作为其重要产品之一，凭借其优异的性能参数和广泛的应用领域，正逐渐成为半导体领域的亮点之一。

萨科微半导体场效应管WNM2021产品图

WNM2021是一款N沟道MOS管，具有以下关键参数：

·漏源电压(Vdss)：20V

·连续漏极电流(Id)：2.3A

·导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.058Ω@4.5V,2A

·阈值电压(Vgs(th)@Id)：0.95V@250uA

·封装：SOT-323

这些参数表明了WNM2021在低压、高效率和可靠性方面的*表现。其低导通电阻和适中的漏源电压与连续漏极电流使其成为各种电子设备中理想的功率开关元件。此外，低阈值电压确保了在低功率条件下依然能够可靠工作，为系统的稳定性提供了保障。

萨科微半导体场效应管WNM2021

WNM2021具有以下显著特点。低导通电阻：导通电阻仅为0.058Ω@4.5V,2A，有效降低了功耗和热量，提高了效率。适中的漏源电压和连续漏极电流：在20V的漏源电压和2.3A的漏极电流条件下，WNM2021能够稳定可靠地工作，满足各种应用需求。低阈值电压：具有0.95V@250uA的低阈值电压，可实现较低的门控电压，提高了开关性能和响应速度。

萨科微半导体场效应管WNM2021

WNM2021在众多领域展现出了广泛的应用前景，特别是在便携式设备负载开关和DC/DC转换器方面。在便携设备上，它可用于负载开关，实现对电路的灵活控制和保护，提高设备的可靠性和安全性。而在DC/DC转换器中，WNM2021能有效地将输入电压转换为所需输出电压，为电子设备提供稳定的电源支持。

作为萨科微slkor产品线中的重要组成部分，WNM2021不仅展现出*的性能表现，还具备广泛的应用前景。其低导通电阻、适中的漏源电压和连续漏极电流，以及低阈值电压，使其成为各种电子设备中不可或缺的关键组件，为创新应用和能源管理提供稳定可靠的支持。随着技术的不断发展和市场的需求不断壮大，萨科微半导体将继续推出更多的产品，为半导体领域带来更多的创新和发展机遇。

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

萨科微（www.slkormicro.com）的高端产品有碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢复功率二极管等，可满足新能源汽车、高端装备、通讯电力设备、太阳能光伏、医疗设备、工业自动化等行业需求；萨科微通用型类产品有肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用型二极管三极管，功率器件有高中低压的MOS场效应管、可控硅、桥堆等，和电源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列、还有霍尔HALL传感器、高速光耦、晶振等配套产品，在智能手机、手提电脑、机器人、智慧家居、物联网、LED照明、3C数码、智能可穿戴设备、万物智联等产品广泛应用！

WNM2021至产品详细网页

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