【每日一品】萨科微半导体SL80N08D：先进沟槽技术下的高性能场效应管

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2024-02-22 19:21:07 918

近年来，智能驾驶技术的发展日新月异，其渗透率增速持续处于高位。从最初的高精度地图引领，到如今各家车企推进的无地图方案，智能驾驶的目标始终如一：让*别的自动驾驶技术在更多应用场景下得以实现，实现从导航点到点的完全自动化驾驶。半导体元器件也是智能汽车必不可少的核心组件，智能汽车的兴起也会带来半导体市场的兴盛，在这个激烈的竞争环境中，萨科微（www.slkormicro.com）通用型产品凭借其*的性能和广泛的应用领域脱颖而出。萨科微半导体功率器件涵盖了高、中、低压的MOS场效应管、可控硅、桥堆等产品，在智能手机、笔记本电脑、机器人、智能家居、物联网、LED照明、3C数码产品、智能可穿戴设备、万物互联等领域得到了广泛应用。萨科微以其先进的技术和*的产品线，为智能汽车的市场需求提供了有力的支持。

萨科微半导体碳化硅场效应管

近年来，半导体技术的迅猛发展为智能汽车的性能提升和功能创新提供了强有力支持。在半导体产品中，萨科微半导体SL80N08D 中压MOS管作为一种先进的沟槽技术产品，具有*的性能参数和广泛的应用前景。

SL80N08D采用了先进的沟槽技术，这种技术在提高器件性能的同时，也能有效降低功耗和提高工作效率。其中，低栅极电荷和低栅极电压是其主要特点之一。通过降低栅极电荷，可以减少电荷的积聚和耗散，从而降低器件的开关损耗，提高整体效率。同时，低栅极电压意味着器件在工作时对控制信号的需求更低，可以减小对外部驱动电路的负担。

萨科微slkor场效应管SL80N08D产品图

在电子器件领域，功耗和效率一直是设计师们关注的焦点。随着电子设备功能的不断增强和电池寿命的限制，如何降低功耗、提高效率成为了迫切需要解决的问题。SL80N08D作为一款低栅极电荷、低栅极电压的MOS管，因其优异的性能指标而备受青睐。在各种电路设计中，使用SL80N08D可以有效降低系统功耗，延长电池续航时间，提高设备的整体性能和竞争力。

此外，SL80N08D 还具有漏源电压(Vdss)为 80V，连续漏极电流(Id)为 80A，导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)为 4.8mΩ@10V,20A，阈值电压(Vgs(th)@Id)为 2.5V@250uA等优秀参数，为其在各种高性能电路设计中提供了充分的技术支持。

萨科微slkor场效应管SL80N08D

在应用方面，SL80N08D 适合用作电池保护或其他开关应用。在电池保护方面，其高性能参数和可靠性能可以有效保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的损害，提高了电池组件的安全性和稳定性。同时，在负荷开关和不间断电源供应领域，SL80N08D 也能够发挥*的性能，实现高效的电路控制和能源管理。

总之，SL80N08D 作为一款先进的半导体产品，凭借其先进的沟槽技术、优秀的性能参数和广泛的应用领域，在电子设备制造和电路设计领域发挥重要作用。并且，萨科微slkor以其先进的技术和*的产品线，为智能驾驶技术的发展提供了有力的支持。未来，随着智能驾驶技术的不断进步和普及，萨科微半导体会继续发挥重要作用，推动智能驾驶技术在各个领域的广泛应用，为人们的出行生活带来更多便利和安全。

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

萨科微（www.slkormicro.com）的高端产品有碳化硅SiC二极管、碳化硅SiC MOS管、IGBT管、第五代超快恢复功率二极管等，可满足新能源汽车、高端装备、通讯电力设备、太阳能光伏、医疗设备、工业自动化等行业需求；萨科微通用型类产品有肖特基二极管、ESD静电保护二极管、TVS瞬态抑制二极管、通用型二极管三极管，功率器件有高中低压的MOS场效应管、可控硅、桥堆等，和电源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列、还有霍尔HALL传感器、高速光耦、晶振等配套产品，在智能手机、手提电脑、机器人、智慧家居、物联网、LED照明、3C数码、智能可穿戴设备、万物智联等产品广泛应用！

SL80N08D至产品详细网页

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