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速度提升12倍!日本SiC技术又开挂了?

发布时间:2022-03-18作者来源:萨科微浏览:705

据日本科技媒体报道,AIST开发了一项高速SiC晶片抛光技术,可以将速度提升12倍,大幅降低成本,该技术即将导入6英寸SiC晶圆的集成加工工艺中:

▲速度更快:传统转速50 rpm,新技术达到700rpm。

▲多片抛光:传统方式只能单片研磨,新技术可以同时多片加工。

▲节省材料:不需要研磨液,只需要水。


速度提升12倍!

高速SiC晶片抛光成本更低

前段时间(8月份), 日本产业技术综合研究所(AIST) 宣布,他们开发了一项SiC晶片高速抛光技术。 据介绍,这项技术的镜面抛光速度比以往快12倍,因此可以大幅缩减SiC晶片加工时间, 降低成本

图:高速抛光的6英寸碳化硅晶片外观。

AIST是如何做到的呢?

由于SiC晶片是一种高刚性且脆性的材料,为此迄今为止,即使采用金刚石研磨液进行抛光也无法提高研磨速度,因为研磨液会产生摩擦热。目前,主要是通过研磨进行单晶片加工,直至实现镜面加工(表面粗糙度Ra≈1 nm),但生产效率不高

为了加快抛光过程,AIST联合瑞穗和富士越机械工业开发了新的SiC晶片抛光技术,该技术采用了2种设备:瑞穗将金刚石磨石成型为平台,制成了固定磨粒平台;同时结合了富士越制造的高速高压研磨装置

图:瑞穗的固定磨粒平台和富士越的高速高压抛光装置。

结果证实,当使用固定磨粒平台时,即使在700rpm时平台旋转速度也与抛光速度成正比。而且,新技术的抛光速度比使用研磨液(负载200 g/cm2,转速50 rpm)的典型加工条件快约 12倍。

同时,采用新技术,抛光后的SiC晶片Ra约为0.5 nm,实现了与传统镜面研磨工艺相同的表面质量。而传统金属平台和浆料加工,平台转速超过200rpm时抛光质量就达到极限。

而且,与使用浆料的抛光技术不同,这种高速抛光技术只使用水作为处理液,所以环境负荷极小。它的另一个优点是可以在控制供水量和冷却平台的同时,确保抛光效率。

此外,由于该技术是通过加工压力和平台的转数来控制加工速度,因此可以同时加工多个 SiC晶片。结果,可以同时实现高速处理和成本降低。

SiC还有哪些新技术?

英飞凌、罗姆、安森美等即将分享

目前, SiC 的需求正在扩大,比如意法半导体跟 Cree 就将供货金额扩大到 52 亿元左右,但也 亟需更多新技术 来推动 SiC 产业更快更好地发展。

9月9日,英飞凌、罗姆、三菱电机、安森美、英诺赛科、PI公司、天科合达、天域、飞锃、芯聚能和能芯等企业,将出席“SiC/GaN功率器件技术与应用分析大会”,带来最新的SiC技术分享。


这次大会议题涵盖SiC全产业链,包括衬底、外延、器件、模块、封测和应用。



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