服务热线
0755-83044319
发布时间:2022-03-18作者来源:萨科微浏览:2318
土豪登场-IGBT5
“土豪金” 芯片
特征:
沟槽栅+场截止+表面覆盖铜
IGBT5是所有IGBT系列里最土豪的产品,别的芯片表面金属化都用的铝,而IGBT使用厚铜代替了铝,铜的通流能力及热容都远远优于铝,因此IGBT5允许更高的工作结温及输出电流。同时芯片结构经过优化,芯片厚度进一步减小。
技能:
175℃工作结温,1.5V饱和电压,
输出电流能力提升30%
因为IGBT5表面覆铜,并且在模块封装中采用了先进的.XT封装工艺,因此工作结温可以达到175℃。芯片厚度相对于IGBT4进一步减薄,使得饱和压降更低,输出电流能力提升30%。
名号:
E5,P5
目前IGBT5的芯片只封装在PrimePACK™里,电压也只有1200V,1700V,代表产品FF1200R12IE5,FF1800R12IP5。
真假李逵-TRENCHSTOP™5
在单管界,有一类产品叫TRENCHSTOP™5。经常听到有人问H5、F5、S5、L5是不是IGBT5?严格意义来讲并不是,虽然名字里都带5,但是H5、F5、S5这些单管的5系列,属于另外一个家族叫TRENCHSTOP™5。这个家族没有“黄金甲”加持,基因也和IGBT5不一样。
特征:
精细化沟槽栅+场截止
虽然都叫沟槽栅,但TRENCHSTOP™5长得还是和前辈们大相径庭。它的沟道更密,电流密度更高。在达到[敏感词]操作性能同时,并不具备短路能力。
技能:
175℃[敏感词]工作结温,高开关频率,
无短路能力
性能和短路,永远是一对矛盾体。为了追求卓越的性能,TRENCHSTOP™5牺牲掉了短路时间。TRENCHSTOP™5可以根据应用目的不同,取得极低的导通损耗,或者极高的开关频率,开关频率[敏感词]可达70~100kHz,而导通压降[敏感词]可低至1.05V。
名号:
H5,F5,S5,L5
TRENCHSTOP™5目前只有650V的器件,并且都是分立器件。这一系列产品针对不同的应用进行了通态损耗和开关损耗的优化。其中H5/F5适合高频应用,L5导通损耗[敏感词]。TRENCHSTOP™5各个产品在折衷曲线上的位置如下图所示。
后起之秀-IGBT6
6掌门虽然和4掌门之间隔了个5,但6其实是4的优化版本,依然是沟槽栅+场截止。IGBT6目前只在单管中有应用。
特征:
沟槽栅+场截止
器件结构和IGBT4类似,但是优化了背面P+注入,从而得到了新的折衷曲线。
技能:
175℃[敏感词]工作结温,Rg可控,3us短路
IGBT6目前发布的有2个系列的产品,S6导通损耗低,Vce(sat) 1.85V; H6开关损耗低,相比于H3,开关损耗降低15%。
名号:
S6, H6
IGBT6只有单管封装的产品,例如:IKW15N12BH6,IKW40N120CS6,封装有TO-247 3pin,TO-247 plus 3pin,TO-247 plus 4pin。
万众瞩目-IGBT7
IGBT经数代,厚积薄发,2018年终于迎来了万众瞩目的IGBT7。
特征:
微沟槽栅+场截止
虽然都是沟槽栅,但多了一个微字,整个结构就大不一样了。IGBT7沟道密度更高,元胞间距也经过精心设计,并且优化了寄生电容参数,从而实现5kv/us下的[敏感词]开关性能。
更多IGBT7信息,请参考:1200V IGBT7和Emcon7可控性更佳,助力提升变频器系统性能。
技能:
175℃过载结温,dv/dt可控
IGBT7 Vce(sat)相比IGBT4降低20%,可实现[敏感词]175℃的暂态工作结温。
名号:
T7,E7
代表产品有:FP25R12W1T7。T7专为电机驱动器优化,可以实现5kv/us下[敏感词]性能。E7应用更广泛,电动商用车主驱,光伏逆变器等。
一张表看懂
IGBT的前世今生
”
有道是,
江山代有才人出,各领风骚没两年。
7已经羽翼渐丰,独挡一面,
8还会远吗?
让我们拭目以待吧!
免责声明:本文转载自“电子发烧友网”,本文仅代表作者个人观点,不代表萨科微及行业观点,只为转载与分享,支持保护知识产权,转载请注明原出处及作者,如有侵权请联系我们删除。
公司电话:+86-0755-83044319
传真/FAX:+86-0755-83975897
邮箱:1615456225@qq.com
QQ:3518641314 李经理
QQ:332496225 丘经理
地址:深圳市龙华新区民治大道1079号展滔科技大厦C座809室
友情链接:站点地图 萨科微官方微博 立创商城-萨科微专卖 金航标官网 金航标英文站
Copyright ©2015-2022 深圳萨科微半导体有限公司 版权所有 粤ICP备20017602号-1