萨科微双向超低电容ESD保护二极管SLPESDNC2FD5VBS：为5 V通用接口提供“坚实而经济”的防护

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2025-07-17 18:57:51 899

当USB 2.0、按键、SIM卡槽、耳机孔等5 V单端或低速差分线需要兼顾成本、可靠性与空间时，一颗电容适中、钳位电压足够低、封装足够小的ESD器件就是工程师的最佳拍档。萨科微（Slkor）推出双向ESD保护二极管SLPESDNC2FD5VBS，以15 pF典型结电容、10 V低钳位电压、5 V反向工作电压（VRWM）及5.6 V最小反向击穿电压（VBR min）的组合，为5 V通用数字接口提供“坚实而经济”的保护，同时典型漏电流仅0.1 μA，对整机功耗几乎零影响。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDNC2FD5VBS产品图

该器件的核心使命是在±25 kV接触/空气放电、5 A 8/20 μs浪涌等瞬态高压脉冲抵达敏感I/O之前，将其能量快速泄放至地线，充当智能机、机顶盒、可穿戴设备与外部恶劣电气环境之间的“最后一道保险”。传统TVS若一味追求超低电容往往成本陡增；SLPESDNC2FD5VBS通过成熟工艺在成本、电容与钳位电压之间取得平衡，成为大批量消费电子、工业控制、车载娱乐系统的“性价比守门员”。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDNC2FD5VBS规格书

务实的保护窗口

反向工作电压 VRWM = 5 V

最小反向击穿电压 VBR min = 5.6 V

该窗口确保5 V信号线在正常工作时不误触发，同时在ESD冲击下迅速导通，为USB 2.0、GPIO、按键阵列、音频接口等提供可靠防护。

可接受的钳位电压

官方给出的单通道1 A TLP钳位电压VC = 10 V

在纳秒级瞬态脉冲下，该值低于常见5 V逻辑I/O的耐压裕度，可将冲击应力降到安全范围。

15 pF结电容

典型值CJ = 15 pF（@VR = 0 V，f = 1 MHz）

虽不足以跑10 Gbps，但对USB 2.0（480 Mbps）、按键、LED、低速UART、I2C等信号完整性几乎无影响，同时兼顾成本优势。

0.1 μA超低漏电流

典型值IR = 0.1 μA（@VR = 5 V，25 °C）

最大值0.1 μA（规格书数据），在高温85 °C下仍低于1 μA，为电池供电的可穿戴、TWS耳机、智能门锁提供全天候续航保障。

超小DFN1006封装

尺寸1.0 mm × 0.6 mm × 0.37 mm

比SOT-23缩小75 %占位面积，0.37 mm厚度可直接放置在Type-C母座舌片下方；底部中央裸露焊盘提供低阻抗接地路径，提升泄放效率。器件采用Ni/Pd/Au三层镀层端子，兼容无铅回流焊，7英寸卷带包装适配高速SMT线。

萨科微Slkor静电保护二极管SLPESDNC2FD5VBS相关参数

广泛应用领域

? 移动终端：智能手机USB-C口、耳机孔、SIM卡槽、侧边按键、摄像头模组供电线

? 计算平台：机顶盒HDMI 5 V检测脚、笔记本USB 2.0接口、SSD插槽供电脚

? 车载电子：车载摄像头5 V电源、IVI系统按键背光、天线调谐器GPIO

? 工业与医疗：PLC数字输入、工业相机5 V供电、便携式医疗探头接口

? 智能家居：智能门锁、TWS耳机充电仓、扫地机器人碰撞开关

设计要点与技术支持

PCB布局时，建议将SLPESDNC2FD5VBS置于距连接器入口≤5 mm处，下方完整地平面开窗与器件地焊盘直接相连，避免共用长地回路；若用于差分线，需评估15 pF电容是否影响信号完整性。萨科微官网同步提供评估板（EVB-SLPESDNC2FD5VBS）、SPICE模型及S参数，可导入常用仿真平台进行系统级验证；FAE团队支持24 h内响应，并提供现场ESD测试与联合调试服务。

萨科微SLPESDNC2FD5VBS以15 pF结电容、10 V钳位、5 V/5.6 V务实保护窗口与0.1 μA漏电流，在5 V通用接口领域树立“经济型ESD保护”新标杆，为新一代更普及、更可靠、更紧凑的电子设备提供坚实屏障。

萨科微slkor静电保护二极管（ESD）

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

关于萨科微slkor：

萨科微积极融入产业生态圈，把公司打造成为合作共赢的平台。萨科微官网开辟了技术交流、名家专栏、资料查询、资讯展播、行业应用等专栏，希望成为信息对接、观点碰撞的空间、促进学术和思想交流的殿堂。萨科微秉承 “守正”、“精进”、“坚韧”、“细节”的企业文化，和“己所不欲勿施于人”的公平、开放、合作的企业伦理，与公司同事、供应商、代理商、客户、社会协同发展，早日“成为全球半导体领导企业”，用技术和产品推动*发展！

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