萨科微推出微型ESD防护二极管SLESD9B3.3S 赋能智能手机精密电路保护

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2025-07-03 18:47:36 904

消费电子防护解决方案领军企业萨科微今日宣布，正式推出专为移动终端设计的新一代超微型静电放电（ESD）保护二极管SLESD9B3.3S。这款采用DFN1006封装的器件针对智能手机、可穿戴设备及物联网终端的精密电路防护需求开发，在3.3V工作电压下实现行业*的静电防护性能与微型化设计的*平衡。此次发布标志着公司在移动终端防护领域取得关键技术突破，为5G智能手机、折叠屏设备及高端TWS耳机提供更可靠的电路保护方案。

萨科微Slkor静电保护二极管SLESD9B3.3S产品图

突破性封装技术重塑空间利用效率

SLESD9B3.3S采用2.0mm×1.0mm超紧凑DFN1006封装，厚度仅0.4mm，在0.5mm焊盘间距内实现0.25mm极窄边框设计。这种创新封装结构特别优化了智能手机主板的密集布局需求，其对称式引脚排列与激光蚀刻极性标识可将贴装误差控制在±0.05mm范围内。值得关注的是，该器件在封装侧壁集成导电镀层，使自动光学检测（AOI）设备的识别准确率提升至99.98%，显著降低高端智能手机制造中的品质风险。

相较于传统SOT-23封装方案，新型DFN1006封装将寄生电感降低至0.15nH以下，配合内部优化的电流路径设计，使器件在10GHz频段下的插入损耗低于0.05dB。这种电气性能的突破性提升，使得SLESD9B3.3S可直接部署在USB-C连接器后方仅1.5mm的位置，在物理空间极度受限的智能手机内部实现"零距离"防护。

萨科微Slkor静电保护二极管SLESD9B3.3S规格书

萨科微Slkor静电保护二极管SLESD9B3.3S相关参数

精密电性能设计保障系统稳定性

针对智能手机中3.3V低压电路的特殊需求，SLESD9B3.3S实现了10pF的行业*结电容（Cj）。该参数在2.7-3.6V工作电压范围内保持高度稳定，使器件在MIPI D-PHY、USB 3.1 Gen2等高速差分信号线中的介入影响降至*低。测试数据显示，在4K@60Hz视频传输场景中，搭载该保护器件的眼图模板裕量保持率达97.2%，接近无保护状态下的原始性能。

器件的静电防护核心采用阶梯式掺杂工艺，在PN结区域形成梯度电荷耗尽层。这种结构使得反向工作电压（VRWM=3.3V）下的漏电流（IR）稳定控制在0.01μA水平，即便在85℃高温环境下连续工作2000小时，参数漂移仍低于2%。对于需要超长待机的智能手表或健康监测设备，这种特性可有效避免因漏电流积累导致的电池续航衰减。

动态响应特性突破防护极限

SLESD9B3.3S的击穿电压（VBR）设计采用双模触发机制：当ESD脉冲来临时，雪崩击穿电压精确控制在5V（*小值），确保在IEC 61000-4-2接触放电±15kV测试中，钳位电压（VC）稳定在8.5V。这种陡峭的伏安特性曲线得益于专利的量子隧穿复合结构，使器件在皮秒级时间内完成从高阻态到低阻态的转换，实测触发时间小于50ps。

在混合波脉冲测试中，该器件展现出*的能量处理能力：在10/700μs组合波冲击下，可安全吸收35A（8/20μs）峰值电流，动态电阻（Rdyn）低至0.6Ω。这种特性对于需要同时防御ESD和电源噪声的折叠屏手机尤为重要，实测在-40℃至125℃温度范围内，钳位电压波动幅度不超过0.5V。

行业趋势与市场展望

随着5G毫米波技术、折叠屏结构及UWB超宽带通信在智能手机的普及，终端设备的电路复杂度正以每年35%的速度增长。据Counterpoint Research预测，到2026年，配备高速接口的智能终端市场规模将突破850亿美元，这对ESD防护器件提出更高要求。萨科微凭借在化合物半导体材料领域的积累，正开发基于GaN的新一代超高速防护器件，目标将结电容进一步压缩至5pF量级。

SLESD9B3.3S的推出不仅完善了公司在移动终端防护领域的产品矩阵，更标志着ESD防护技术从"基础保护"向"系统优化"的演进。通过与SIP（系统级封装）技术的深度整合，未来该器件有望集成电磁干扰滤波、过压保护等功能，为智能手机提供*的电路防护解决方案。在可预见的未来，随着AIoT设备的爆发式增长，这种高度集成化的防护方案将成为智能终端设计的标准配置。

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