SLPESD24VS1U瞬态抑制二极管：高压场景下的精密防护方案

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2025-03-25 21:02:44 886

在工业自动化、汽车电子及通信电源等高压应用场景中，瞬态电压事件对电路可靠性的威胁尤为显著。SLPESD24VS1U作为一款专为24V系统设计的高压瞬态抑制（TVS）二极管，通过参数优化实现了对浪涌脉冲、ESD及感性负载切换的*防护。其24V反向工作电压、50pF结电容及SOD-523封装特性，使其成为高压、紧凑型电子设备的优选保护器件。

一、核心参数与技术特性

反向工作电压（VRWM = 24V）
该参数定义了二极管在正常工作条件下的最大反向电压容限，适配24V工业电源、车载娱乐系统及通信设备。其设计裕量（建议VRWM ≥ 1.1×工作电压）确保在电压波动时仍保持高阻状态，避免误触发。

萨科微Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

击穿电压（VBR min = 26V）
当瞬态电压超过26V时，二极管进入雪崩击穿区，形成低阻通路分流能量。2V的安全窗口（26V-24V）既保证敏感器件免受冲击，又避免电源噪声或纹波导致的误动作。

萨科微Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

反向漏电流（IR = 5μA）
在VRWM条件下，漏电流仅5μA，对应待机功耗为125μW（以24V计算）。这一特性在电池备份的工业传感器或车载设备中尤为重要，可延长设备续航时间。

萨科微Slkor瞬态抑制二极管SLPESD24VS1U产品图

箝位电压（VC = 35V）
在标准测试脉冲（8/20μs, 5kA）下，箝位电压为35V。该值低于大多数高压MOSFET的栅极击穿阈值（通常>40V），确保后级功率器件在雷击浪涌或负载切换事件中安全无虞。

结电容（CJ = 50pF）
结电容为50pF，在1MHz信号下容抗为3.2kΩ，对低频开关信号（如继电器驱动、电机控制）影响可忽略。但在高频场景（如MHz级通信）中需评估信号完整性影响。

SOD-523封装
采用1.0mm×0.6mm的SOD-523封装，体积较SOT-23缩小50%，引脚间距0.5mm，支持高密度PCB布局。其热阻θJA=350°C/W，需通过PCB铜层优化散热设计。

二、技术优势与差异化特性

1. 高压场景适配性
24V/26V的阈值设计针对工业24V电源系统优化，与传统12V/24V多档TVS相比，可简化电路设计。实测在30V瞬态脉冲下，箝位响应时间<1ns，峰值功率吸收能力达200W（10/1000μs波形）。

2. 能效平衡设计
通过优化芯片掺杂工艺，在VBR与VC之间实现陡峭的I-V曲线。当瞬态电压达到26V时，动态电阻仅0.5Ω，有效限制过电压能量。

3. 环境适应性
VRWM的温度系数为-3mV/°C，在-40°C至+150°C范围内，VRWM漂移量不超过7%。结合湿度敏感性等级（MSL1），适用于高温高湿的工业环境。

三、典型应用场景与协同设计

1. 工业自动化

PLC输出模块：保护24V数字输出端口免受电机启停产生的感性负载瞬变冲击。

传感器接口：在4-20mA模拟信号链中，与气体放电管（GDT）级联，构建多级浪涌防护网络。

2. 汽车电子

车载充电机（OBC）：在DC/DC转换器中保护功率MOSFET，吸收CAN总线ESD事件。

LED车灯驱动：与齐纳二极管协同工作，抑制抛负载瞬态。

3. 电源设备

AC/DC适配器：在整流后级保护光耦及初级侧控制IC。

太阳能逆变器：吸收光伏板切换时的电压尖峰。

4. 设计优化策略

布局布线：建议将TVS二极管放置在距连接器/IC引脚5mm范围内，走线宽度≥0.5mm以减小寄生电感。

协同防护：在高频开关电源中，可并联陶瓷电容器（如100nF X7R）增强低频滤波效果。

四、结论

SLPESD24VS1U通过参数*调优，在24V工业及汽车电子系统中展现出显著优势。其50pF结电容与24V/26V的电压阈值设计，平衡了高压保护需求与信号完整性。随着工业4.0及电动汽车技术的发展，该器件将在电机驱动、电源管理及车载通信等场景中发挥关键作用，为设计师提供兼顾性能与可靠性的电路保护方案。

萨科微slkor瞬态抑制二极管（TVS）

萨科微slkor荣誉资质和科研成果

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