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产品名称：高压MOS管SL4N65F
产品概述：
高压MOS管SL4N65F是一款N沟道MOS场效应管，具有650V漏源电压和4A连续漏极电流，适用于高电压、大电流场合。采用TO-220F封装，便于安装和散热。
性能参数：
- 最大漏极-源极电压：650V
- 最大漏极电流：4A
- 最大导通电阻：2.6Ω@10V,2A
- 阈值电压：4.5V@250A
- 输入电容：850pF@25V
- 反向传输电容：1.2nF@25V
- 栅极电荷：11nC@10V
- 工作温度范围：-55℃ ~ +150℃@(Tj)
应用领域：
高压MOS管SL4N65F广泛应用于需要承受高电压、大电流的场合，如电源、照明、电动工具等领域。
安装说明：
1. 请在无静电保护措施的情况下操作。
2. 安装前请清洁散热器和芯片表面，确保无尘、无油。
3. 芯片正面朝向散热片，用合适的螺丝固定。
4. 注意安装时不要损坏芯片，防止静电干扰。
注意事项：
1. 请勿将该器件用于超出规定条件的环境和用途。
2. 使用时请按照使用说明书正确操作，以免对器件造成损坏。
3. 禁止对器件进行改装和拆卸。
4. 当存储器件时，请避免超出规定的环境温度和湿度范围。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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SL10N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N沟道
SL11N65CF1高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
SL12N100T高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N沟道
SL12N100高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N沟道
SL13N50FS高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
SL15N60CF高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
SL18N20高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220-3L VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 120mΩ@10V,9A VTH： 3.0V@250μA P/N： N沟道
SL18N50F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 0.32Ω@10V,9A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
SL20N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 0.38Ω@10V,10A VTH： 3.5V@250μA P/N： N沟道
SL22N65CF高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 22A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,10A VTH： 4.5V@1.7mA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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