瞬态抑制二极管ESD5451L

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瞬态抑制二极管ESD5451L

ESD5451L双向瞬态抑制二极管，反向截止电压5V，击穿电压5.6V，峰值脉冲电流5A，钳位电压12V。

极性:双向

反向截止电压(Vrwm):5V

击穿电压(最小值):5.6V

峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5A

最高钳位电压;12V

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一、产品概述

ESD5451L是一款高性能的双向瞬态抑制二极管，专为保护敏感电子设备免受瞬态过电压冲击而设计。它能够有效抑制由静电放电、电快速瞬变脉冲群等引起的电压尖峰，确保电子设备的安全运行。

二、产品特点

双向保护：ESD5451L采用双向设计，可同时保护电路的正负极，为电路提供全方位的保护。
低反向截止电压：反向截止电压仅为5V，能够有效降低电路中的能耗，提高电路的效率。
高击穿电压：击穿电压最小值为5.6V，能够在瞬间响应过电压冲击，确保电路的安全。
大峰值脉冲电流：在10/1000μs的脉冲条件下，峰值脉冲电流可达5A，能够承受较大的瞬态电流冲击，保护电路不受损坏。
低钳位电压：最高钳位电压仅为12V，能够将过电压限制在安全范围内，保护敏感电子元件。

三、应用场景

ESD5451L适用于各种需要过电压保护的电子设备，如手机、平板电脑、笔记本电脑、智能穿戴设备等。它能够有效防止静电放电、电快速瞬变脉冲群等引起的电压尖峰，保护设备的正常运行。

四、技术参数

极性：双向
反向截止电压（Vrwm）：5V
击穿电压（最小值）：5.6V
峰值脉冲电流（Ipp）@10/1000μs：5A
最高钳位电压：12V

五、封装与尺寸

ESD5451L采用紧凑的封装设计，尺寸小巧，便于安装在各种电子设备中，节省空间。

名称

标题

说明

ESD5451L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

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