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产品展示
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产品名称: 瞬态抑制二极管 SLESD5Z5C
生产商: 萨科微（Slkor）
封装: SOD-523
主要特性
反向截止电压 (VRWM): 5V
最小击穿电压 (VBR min): 5.6V
最大击穿电压 (VBR max): 7.8V
反向漏电流 (IR): 1μA
电容值 (CJ): 30pF
封装信息
封装类型: SOD-523
封装尺寸: 封装尺寸可能会根据制造商和供应商的不同而有所差异。
产品描述
瞬态抑制二极管 SLESD5Z5C 是一款可用于抑制瞬态电压的二极管。它具有5V的反向截止电压和5.6V至7.8V的击穿电压范围，可保护电路免受过高电压的损害。
该二极管具有低反向漏电流，仅为1μA，以确保在正常工作条件下消耗较少的功率。同时，它具有30pF的电容值，帮助抑制高频噪声和瞬态电压。
SLESD5Z5C 封装为 SOD-523，适用于表面贴装应用。它的尺寸可能会根据制造商和供应商的不同而有所差异。
请注意，以上信息仅供参考。在实际使用前，请查阅萨科微（Slkor）提供的官方技术规格和数据手册，以确保准确的产品参数和性能。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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5.0SMDJ18A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 29.2V Package： SMC
5.0SMDJ28A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 45.4V Package： SMC
5.0SMDJ30CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 48.4V Package： SMC
5.0SMDJ33A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0SMDJ33CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0SMDJ36CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 58.1V Package： SMC
5.0SMDJ43CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 43V VBR min(V)： 47.8 V VBR max(V)： 52.8 V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 69.4 V Package： SMC
5.0SMDJ58A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0SMDJ58CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0SMDJ64CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 64V VBR min(V)： 71.1V VBR max(V)： 78.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 103.0 V Package： SMC
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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