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产品展示
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以下是瞬态抑制二极管 SMBJ12A 的详细信息：
产品名称：瞬态抑制二极管 SMBJ12A
- 生产商：萨科微（Slkor）
- 封装：DO-214AA
主要特性：
- 反向截止电压（VRWM）：12V
- 击穿电压范围：13.3V至15.3V
- 反向漏电流（IR）：5μA
- 最大钳位电压（VC）：19.9V
该瞬态抑制二极管具有以下特性：
1. 反向截止电压（VRWM）：12V
反向截止电压是指在正常工作条件下，二极管的最大反向电压。对于 SMBJ12A，反向截止电压为12V。
2. 击穿电压范围：13.3V至15.3V
击穿电压范围是指在正常工作条件下，二极管开始导通的电压范围。对于 SMBJ12A，其击穿电压范围为13.3V至15.3V。
3. 反向漏电流（IR）：5μA
反向漏电流是指在反向电压下，通过二极管的微小电流。SMBJ12A 的反向漏电流为5μA。
4. 最大钳位电压（VC）：19.9V
最大钳位电压是指在过电压保护期间，二极管将电路钳在一个安全的电压范围内。SMBJ12A 的最大钳位电压为19.9V。
封装类型：
SMBJ12A 采用 DO-214AA 封装，也称为 SMB 封装，常用于表面贴装应用。
请注意，以上信息仅供参考。在实际使用前，请查阅萨科微（Slkor）提供的官方技术规格和数据手册，以确保准确的产品参数和性能。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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5.0SMDJ18A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 18V VBR min(V)： 20V VBR max(V)： 22.1V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 29.2V Package： SMC
5.0SMDJ28A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 28V VBR min(V)： 31.1V VBR max(V)： 34.4V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 45.4V Package： SMC
5.0SMDJ30CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 30V VBR min(V)： 33.3V VBR max(V)： 36.8V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 48.4V Package： SMC
5.0SMDJ33A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0SMDJ33CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 33V VBR min(V)： 36.7V VBR max(V)： 40.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 53.3V Package： SMC
5.0SMDJ36CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 36V VBR min(V)： 40V VBR max(V)： 44.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 58.1V Package： SMC
5.0SMDJ43CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 43V VBR min(V)： 47.8 V VBR max(V)： 52.8 V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 69.4 V Package： SMC
5.0SMDJ58A瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0SMDJ58CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 58V VBR min(V)： 64.4V VBR max(V)： 71.2V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 93.6V Package： SMC
5.0SMDJ64CA瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 64V VBR min(V)： 71.1V VBR max(V)： 78.6V IR(uA)： 1.0uA VC(V)： 103.0 V Package： SMC
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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