产品展示
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IRF7341中压MOS管

双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:IRF7341

商品封装:SOP-8​

包装方式:编带

商品毛重:0.2克(g)

产品名称:MOS管IRF7341


品牌:萨科微Slkor


产品类型:N沟道


电性能参数:

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id): 30mΩ @ 10V, 4A

阈值电压(Vgs(th)@Id): 2.5V @ 250uA

封装规格:

封装类型: SOP-8

产品特性与应用:

MOS管IRF7341是一款N沟道MOS场效应管,由萨科微Slkor公司生产。其适中的电性能参数和SOP-8封装设计使其适用于多种中功率电子应用。


主要特性:

适中的电压承受能力: 漏源电压(Vdss)为60V,适用于中功率电路设计。

适中的电流承受能力: 连续漏极电流(Id)为5A,适用于中功率应用场景。

相对低的导通电阻: 在10V电压和4A电流下,导通电阻为30mΩ,有助于降低功耗和提高效率。

适中的阈值电压: 阈值电压(Vgs(th)@Id)为2.5V @ 250uA,有助于确保精确的电路控制。

封装优势:

SOP-8封装提供了良好的散热性能和适中的尺寸,适用于各种中功率电路设计。其引脚设计使得它易于集成到各种电子设备中。


应用领域:

MOS管IRF7341广泛应用于多种中功率电子应用,包括但不限于:

电源开关: 适用于中功率电源开关电路。

电机控制: 在中功率电机控制电路中,可实现有效的电流控制。

电源逆变器: 用于中功率电源逆变器的输出控制。

安全与可靠性:

MOS管IRF7341经过严格的质量控制和测试,确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。


总结:

MOS管IRF7341以其适中的电性能和SOP-8封装设计,为中功率电子系统提供了可靠的解决方案。在需要适中电压承受能力和适中电流承受能力的场景下,IRF7341是一个值得考虑的选择。




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