中压MOS管AOD409

P沟道MOS管AOD409具有-60V漏源电压（Vdss）和-30A的连续漏极电流（Id）。导通电阻为30mΩ，阈值电压为-1.8V，适用于高功率应用。其TO-252封装确保良好的散热性能，适合要求高电流和低损耗的电路设计。

该P沟道MOS管具有-60V的漏源电压和-30A的最大连续漏极电流，导通电阻为30mΩ，确保低功耗和高效能。阈值电压为-1.8V，适合低压和中压开关、功率控制应用。广泛应用于电源管理、电动汽车、开关电源以及其他中高功率控制系统中，封装为TO-252，便于集成。

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产品名称：MOS管 AOD409

生产商：萨科微Slkor

产品类型：P沟道

电性能参数：

漏源电压（Vdss）： -60V

连续漏极电流（Id）： -30A

导通电阻（RDS(on)@Vgs, Id）： 30mΩ @ -10V, -20A

阈值电压（Vgs(th)@Id）： -1.8V @ -250uA

封装规格：

封装类型： TO-252

产品特性与应用：

该P沟道MOS管适用于各种电源管理、开关电源和电机控制应用。以下是产品的主要特性：

主要特性：

适用于负载开关电源：具有-60V的漏源电压，可在负载开关电源等应用中发挥作用。

高电流能力：连续漏极电流达到-30A，适用于高功率应用。

低导通电阻：在-10V电压和-20A电流下，导通电阻为30mΩ，有助于减少功耗。

低阈值电压：阈值电压为-1.8V @ -250uA，有助于确保准确的电路控制。

封装优势：

TO-252封装提供了良好的散热性能，适用于中功率应用，并易于安装在电路板上。

应用领域：

该P沟道MOS管适用于电源开关、电机控制、逆变器和其他需要负载开关的电子应用。

安全与可靠性：

产品通过严格的质量控制和测试，确保在各种工作条件下稳定可靠。请按照产品规格书和应用注意事项正确使用。

散热设计建议：

由于高电流和功率特性，建议在设计中考虑有效的散热措施，以确保MOS管工作在合适的温度范围内。

总结：

该P沟道MOS管以其适用于负载开关电源的特性，为各种电子系统提供了可靠的解决方案。在需要P沟道MOS管的中功率应用场景下，此产品是一个值得考虑的选择。

名称

标题

说明

AOD409 TO-252.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的级高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时，也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息互换、资料查询等，逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。