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产品展示
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产品名称: ESD保护二极管SLPESDMC2FD5VB
生产商: 萨科微（Slkor）
产品介绍：
SLPESDMC2FD5VB是由萨科微（Slkor）设计的ESD保护二极管，专为电子设备提供可靠的静电放电（ESD）保护。SLPESDMC2FD5VB广泛应用于通信设备、计算机系统和其他对静电放电敏感的电路中，为电路提供卓越的防护，确保设备在电磁环境中表现卓越。
反向工作最大电压（VRWM）: 5.0V
反向击穿最小电压（VBR min）: 6.0V
反向漏电流（IR）: 100nA
正向工作电压（VC）: 13V
二极管结电容（CJ）: 0.25pF
封装类型: DFN1006
产品优势：
高效的ESD保护： SLPESDMC2FD5VB提供可靠的ESD保护，确保设备免受静电放电的影响。
低功耗设计： 100nA的低反向漏电流有助于降低功耗，延长设备电池寿命。
适用于高频应用： 0.25pF的二极管结电容使其在高频应用中表现卓越，适用于快速信号传输和数据处理。
紧凑的DFN1006封装： 小巧轻便的封装设计方便设计师在有限的空间内进行布局和集成。
适用领域：
SLPESDMC2FD5VB广泛应用于移动设备、通信设备、计算机系统以及其他对静电放电敏感的电路中，为这些设备提供可靠的ESD保护。
注意： 本产品的性能参数可根据具体应用需求进行调整。详细的技术规格和应用建议，请参考厂商提供的数据手册。
名称
标题
说明
数据手册
支持
支持
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AU0511P1 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 9.5V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
AZ5325-01F瞬态抑制二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
AZC199-04ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 15V CJ(pF)： 0.4pF Package： SOT-23-6L
BTRD04A035 静电放电保护器
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： DFN1006
BV-FA05UCAESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 11V CJ(pF)： 0.35pF Package： DFN1006
CESD2510LC5VU保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 1μA VC(V)： 16V@5A CJ(pF)： 0.8pF Package： DFN2510
CESD882UC5VB ESD保护二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6V IR(uA)： 0.1μA VC(V)： 22V@4.5A CJ(pF)： 0.45pF Package： DFN1006
ESD5471X-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.1V IR(uA)： 100nA VC(V)： 8.0V@1A CJ(pF)： 9pF Package： DFN1006-2L
ESD5B5.0-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5V VBR min(V)： 6.8V IR(uA)： 100nA VC(V)： 11V CJ(pF)： 140pF Package： SOT-523
ESD9B5.0ST5G-SL防静电二极管
品牌： 萨科微， VRWM(V)： 5.0V VBR min(V)： 5.6V IR(uA)： 100nA VC(V)： 10V CJ(pF)： 15pF Package： SOD-923
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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