产品展示
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三极管2SD1781R

800mA|200mW|0.4V@500mA,50mA|150MHz|SOT-23|32V|三极管|三极管(BJT)|VCEO(V),IC(A),PD(W),VCE(sat)(V),fT(MHz),Package|Triode|

2SD1781R 是由萨科微(Slkor)生产的 NPN 型三极管,适用于多种应用场景。具有适度的集电极击穿电压、较高的集电极电流和低功耗。采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装应用。

产品概述:

2SD1781R 是由萨科微(Slkor)生产的 NPN 型三极管,适用于多种应用场景。具有适度的集电极击穿电压、较高的集电极电流和低功耗。采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装应用。


关键特性:

晶体管类型: NPN - 面向负正负型晶体管的 NPN 型设计。

集射极击穿电压(Vceo): 32V - 提供适度的集射极击穿电压。

集电极电流(Ic): 800mA - 具有较高的集电极电流能力。

功率(PT): 200mW - 适用于低功耗电子设备。

集电极截止电流(Icbo): 0.05μA - 具有低截止电流。

集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.4V @ 500mA, 50mA - 低饱和电压设计。

直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ 100mA, 3V - 具有较高的直流电流增益。

特征频率(fT): 150MHz - 适用于高频应用。

工作温度: -55℃~+150℃ - 适用于广泛的温度环境。

封装: SOT-23 - 适用于表面贴装应用。

应用领域:

放大器和放大电路

电源管理系统

通信设备

LED 驱动器

汽车电子

性能优势:

适度的击穿电压: 32V 的击穿电压,适用于中低压应用。

较高的集电极电流能力: 800mA 的集电极电流,适用于多种应用场景。

低功耗: 200mW 的功率,适用于低功耗电子设备。

低截止电流: 0.05μA 的截止电流,有助于降低功耗。

低饱和电压设计: 0.4V 的饱和电压,有助于降低功耗。

较高的直流电流增益: 390 的直流电流增益,适用于放大电路。

安装与使用:

2SD1781R 采用 SOT-23 封装,适用于表面贴装应用。详细的安装和使用说明可参考产品手册,确保最佳性能和稳定性。


注意事项:

在使用 2SD1781R 时,请根据产品手册提供的电气特性和绝对最大额定值来选择合适的工作条件,并确保正确连接和使用。


为了获取更多技术支持和产品信息,请联系萨科微(Slkor)客户服务团队。


2SD1781R SOT-23_00.jpg

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