产品概述

产品优势

1. 互补对集成，功能全面：单芯片集成一颗 N 沟道与一颗 P 沟道 MOS 管，可直接构建互补对称电路，无需额外搭配器件，大幅简化电路设计、节省 PCB 空间，适配高密度电路板布局与小型化产品需求。
2. 低压适配，承载稳定：±50V 漏源耐压精准覆盖低压应用场景，N/P 沟道连续漏极电流均达 ±0.13A，脉冲漏极电流 ±0.52A，二极管连续正向电流 ±0.13A，能满足低功率设备的供电与负载驱动需求，瞬时过载能力突出。
3. 低耗高效，驱动便捷：导通电阻优化设计，N 沟道 VGS=10V、ID=0.13A 时典型值仅 1.3Ω（最大值 3Ω），VGS=5V、ID=0.1A 时典型值 1.4Ω（最大值 3.5Ω）；P 沟道 VGS=-10V、ID=-0.13A 时典型值 1.6Ω（最大值 5Ω），导通过程能量损耗低；栅极阈值电压范围窄（N 沟道 0.5V~1.5V，P 沟道 - 1V~-2V），支持低电压驱动，简化驱动电路设计。
4. 开关响应迅速，动态性能佳：N 沟道总栅极电荷仅 7nC，开启延迟时间 4.6ns、上升时间 6.8ns，关断延迟时间 19ns、下降时间 11.5ns；P 沟道总栅极电荷 1.77nC，开启延迟时间 2.5ns、下降时间 8ns，开关速度快，切换损耗小，完美适配高频信号切换与低压功率控制场景。
5. 小封装高集成，量产友好：采用 SOT-363 微型贴片封装，极致节省 PCB 空间，适配便携式设备与空间受限场景；编带包装适配自动化贴片产线，焊接便捷，可大幅提升生产效率，降低装配成本；无铅镀层设计符合环保标准，适配绿色生产需求。

产品参数（TJ=25℃，除非另有说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源击穿电压（VDS/BV (BR) DSS）：N 沟道 50V，P 沟道 - 50V（测试条件：VGS=0V，ID=±250μA）
• 栅源电压（VGS）：±20V
• 连续漏极电流（ID）：N 沟道 0.13A，P 沟道 - 0.13A（Tc=25℃，VGS=10V）
• 脉冲漏极电流（IDM）：N 沟道 0.52A，P 沟道 - 0.52A（Tc=25℃）
• 二极管连续正向电流（IS）：N 沟道 0.13A，P 沟道 - 0.13A（Tc=25℃）
• 结 - 环境热阻（RθJA）：328℃/W（基于 1 平方英寸 2 盎司铜焊盘）
• 工作结温（TJ）：最大值 150℃
• 存储温度范围（TSTG）：-55℃~150℃

2. 关键电气特性（N 沟道）

• 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 0.5V，典型值 0.8V，最大值 1.5V（VDS=VGS，ID=250μA）
• 漏源导通电阻（RDS (ON)）：VGS=10V、ID=0.13A 时，典型值 1.3Ω，最大值 3Ω；VGS=5V、ID=0.1A 时，典型值 1.4Ω，最大值 3.5Ω
• 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 1μA（VDS=50V，VGS=0V）
• 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=±20V，VDS=0V）
• 源漏二极管正向电压（VSD）：最大值 1.2V（Tj=25℃，IS=0.1A）

3. 关键电气特性（P 沟道）

• 栅极阈值电压（VGS (th)）：最小值 - 1V，最大值 - 2V（VDS=VGS，ID=-250μA）
• 漏源导通电阻（RDS (ON)）：VGS=-10V、ID=-0.13A 时，典型值 1.6Ω，最大值 5Ω；VGS=-5V、ID=-0.1A 时，典型值 1.8Ω，最大值 10Ω
• 零栅压漏极电流（IDSS）：最大值 - 1μA（VDS=-50V，VGS=0V）
• 栅极体泄漏电流（IGSS）：±100nA（VGS=+20V，VDS=0V）
• 源漏二极管正向电压（VSD）：最大值 - 1.2V（Tj=25℃，IS=-0.1A）

4. 动态与开关特性

• N 沟道动态特性（VDS=25V，VGS=0V，f=1MHz）：输入电容（Ciss）42pF，输出电容（Coss）15pF，反向传输电容（Crss）3pF
• P 沟道动态特性（VDS=-30V，VGS=0V，f=1MHz）：输入电容（Ciss）30pF，输出电容（Coss）10pF，反向传输电容（Crss）5pF
• N 沟道开关特性（VDD=30V，ID=0.2A，VGS=4.5V，RG=10Ω）：开启延迟时间 4.6ns，上升时间 6.8ns，关断延迟时间 19ns，下降时间 11.5ns
• P 沟道开关特性（VDD=-30V，ID=-0.15A，VGS=-4.5V，RG=2.5Ω）：开启延迟时间 2.5ns，下降时间 8ns，关断延迟时间 16ns

5. 封装参数

• 封装形式：SOT-363（SC70-6L）
• 封装尺寸（mm）：长度 2.000~2.200，宽度 1.150~1.350，高度 0.900~1.100

应用领域

1. 负载 / 电源开关：智能手机、平板电脑、TWS 蓝牙耳机等便携式设备的电源开关控制，实现低功耗供电切换，适配设备小型化设计需求。
2. 信号切换：数据通信设备、工业传感器的信号切换电路，保障信号传输稳定，适配高密度电路板布局。
3. 电源管理模块：低压 DC/DC 转换器、电池管理系统的充放电控制电路，提升电源转换效率与稳定性。
4. 消费电子保护电路：小型化消费类电子产品的过流、过压保护电路，以及 LED 驱动、微型电机驱动中的开关元件。
5. 其他低压场景：手持计算机、PDA 等便携终端的功率控制电路，以及各类对体积和功耗要求严苛的低压电子设备。

注意事项

1. 电压电流限制：严禁超出绝对最大额定值使用，漏源电压不得超过 ±50V，栅源电压控制在 ±20V 以内，连续漏极电流不超过 ±0.13A，避免器件过应力永久性损坏。
2. 静电防护要求：MOS 管栅极绝缘层易受静电击穿，且封装微小更易受损，运输、装配过程中需使用防静电包装，引脚可临时短路；测试与焊接时，工作台、电烙铁、测试仪器需良好接地，操作人员佩戴防静电手环，避免栅极悬空或承受瞬时高压。
3. 焊接工艺规范：采用 SOT-363 封装焊接标准，电烙铁功率建议不超过 30W，焊接时间控制在 2 秒内，可通过镊子夹住管脚根部辅助散热，防止高温损坏器件；封装引脚细小且密集，需精准对位焊接，避免虚焊、短路。
4. 散热设计考量：器件结 - 环境热阻较高（328℃/W），连续导通场景下需预留足够散热空间，PCB 布局时可增加焊盘敷铜面积（建议 1 平方英寸 2 盎司铜），降低热阻，避免靠近其他发热元件，防止结温超过 150℃。
5. 驱动电路匹配：栅极驱动电压需匹配对应沟道阈值范围（N 沟道 0.5V~1.5V，P 沟道 - 1V~-2V），驱动电流需满足栅极电荷充放电需求，避免驱动不足导致开关损耗增大；建议在栅极串联合适电阻，优化开关特性并抑制振荡。
6. 存储与环境防护：存储时需置于干燥、通风环境，温度控制在 - 55℃~150℃，防止器件受潮或引脚氧化；封装体积小，需避免存储过程中受压、碰撞，防止引脚变形或封装破损。
7. 寄生二极管考量：器件内置寄生二极管，正向导通电压最大值 ±1.2V，可用于反向保护与续流，但在高频场景需评估其开关损耗，必要时额外搭配快恢复二极管优化性能；N/P 沟道独立工作时，需分别匹配驱动电路，确保同步或独立控制的稳定性。