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产品展示
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产品概述
SL30N50P 是萨科微采用先进平面条纹 DMOS 工艺打造的500V/30A N 沟道高压功率 MOS 管，采用 TO-3P 大功率封装。产品以低导通损耗、优异开关性能、高雪崩能量与强抗冲击能力为核心特性，专为高效 AC/DC 开关电源、高频功率转换场景设计，可在雪崩与换流模式下承受高能脉冲冲击，满足工业级大功率设备的长期稳定运行需求，符合高可靠性电源系统的应用标准。
产品优势
- 高压大电流，承载能力强劲
500V 漏源击穿电压，30A 连续漏极电流，120A 脉冲电流，满足大功率高压转换场景，过载能力突出。
- 低导通损耗，能效更优
VGS=10V 下典型导通电阻仅 150mΩ，最大 180mΩ，大幅降低导通发热，提升电源转换效率。
- 开关速度快，高频适配性强
总栅极电荷典型 72nC，反向传输电容仅 13pF，开关速度快、切换损耗低，适合高频开关电源。
- 雪崩全测试，可靠性更高
100% 通过雪崩测试，单脉冲雪崩能量达 430mJ，抗浪涌与感性负载冲击能力强，设备运行更安全。
- dv/dt 耐受能力强，稳定性出色
优化动态特性，提升电压变化率耐受能力，在高频硬开关场景下不易误触发，工作更稳定。
- 大功率封装，散热性能优异
TO-3P 封装结壳热阻低至 0.42℃/W，散热效率高，可满足大功率连续工作需求。
产品参数
1. 绝对最大额定值
- 漏源击穿电压 VDS：500V
- 栅源电压 VGS：±30V
- 连续漏极电流 ID：30A（Tc=25℃），20A（Tc=100℃）
- 脉冲漏极电流 IDM：120A
- 单脉冲雪崩能量 EAS：430mJ
- 最大功耗 PD：298W（Tc=25℃）
- 结壳热阻 RθJC：0.42℃/W
- 工作与存储温度：-55℃~150℃
2. 关键电气特性
- 栅极阈值电压 VGS (th)：2.0V~4.0V
- 导通电阻 RDS (on)：典型 150mΩ，最大 180mΩ（VGS=10V，ID=15A）
- 零栅压漏电流 IDSS：≤1μA（VDS=500V，VGS=0V）
- 输入电容 CISS：4110pF；输出电容 COSS：415pF；反向传输电容 CRSS：13pF
- 总栅极电荷 Qg：典型 72nC
- 体二极管正向电压：≤1.4V（IS=20A）
3. 封装参数
- 封装形式：TO-3P
- 引脚定义：G 栅极、D 漏极、S 源极
应用领域
- AC/DC 开关电源、适配器、大功率充电器
- 服务器电源、通信电源、工业高频电源
- UPS 不间断电源、光伏逆变器、储能变流器
- 电机驱动、焊机电源、高频感应加热设备
- 大功率 LED 驱动、电力电子设备、工业控制装置
- 高压放电、脉冲功率电路、高压负载开关
注意事项
- 本品为高压 MOS 管，电路设计与测试必须做好高压绝缘防护，严禁带电直接触摸。
- 栅极对静电与高压脉冲敏感，装配、焊接、测试全过程必须采取防静电与防浪涌措施。
- 工作时严禁超出 VDS=500V、VGS=±30V、ID=30A 额定值，避免器件永久性损坏。
- TO-3P 封装需搭配足够面积散热片与良好散热设计，保证结温不超过 150℃。
- 驱动回路建议串联合适栅极电阻，抑制振荡并优化开关速度，提升系统稳定性。
- 焊接温度最高不超过 300℃，焊接时间控制在 5 秒内，避免高温损坏封装与内部芯片。
- 感性负载应用必须配置续流、吸收或缓冲电路，防止雪崩能量超标损坏器件。
- 布局时尽量缩短功率回路走线，减小寄生电感与振荡，提升高压高频工作可靠性。
名称
标题
说明
数据手册
支持
SL10N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 10A RDSON(Ω)： 940mΩ@10V,5A VTH： 4.5V@250A P/N： N沟道
SL11N65CF1高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 11A RDSON(Ω)： 318mΩ@10V,4.0A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
SL12N100T高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-247 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N沟道
SL12N100高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220 VDSS(V)： 1000V Id(A)： 12A RDSON(Ω)： 1.0Ω@10V,6A VTH： 5.0V@250μA P/N： N沟道
SL13N50FS高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 13A RDSON(Ω)： 520mΩ@10V,6.5A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
SL15N60CF高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 15A RDSON(Ω)： 238mΩ@10V,7.5A VTH： 4.5V@250μA P/N： N沟道
SL18N20高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220-3L VDSS(V)： 200V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 120mΩ@10V,9A VTH： 3.0V@250μA P/N： N沟道
SL18N50F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 500V Id(A)： 18A RDSON(Ω)： 0.32Ω@10V,9A VTH： 4V@250μA P/N： N沟道
SL20N65F高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 20A RDSON(Ω)： 0.38Ω@10V,10A VTH： 3.5V@250μA P/N： N沟道
SL22N65CF高压MOS管
品牌： 萨科微， Package： TO-220F VDSS(V)： 650V Id(A)： 22A RDSON(Ω)： 150mΩ@10V,10A VTH： 4.5V@1.7mA P/N： N沟道
深圳市萨科微半导体有限公司
技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！
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