SLPESD15VS2UT ESD防静电二极管

SLPESD15VS2UT是一款单向TVS二极管阵列，采用领先的单片硅技术，响应时间快，ESD钳位电压低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SLPESD15VS2UT符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电±30 kV，接触放电±30 kV。它采用无铅SOT - 23封装，旨在保护连接到数据和传输线路的元件免受电压浪涌的影响。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLPESD15VS2UT

商品封装:SOT-23

包装方式:编带

商品毛重:0.035267克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLPESD15VS2UT 是一款 15V、双通道单向 TVS 瞬态电压抑制二极管阵列，采用通用 SOT-23 封装，基于先进单片硅技术打造，具备超快响应速度与低钳位电压特性，专为 15V 系统的敏感半导体元件提供静电、浪涌过压防护。器件满足 IEC 61000-4-2 最高等级 ESD 防护标准，可同时保护 1 路双向或 2 路单向数据 / 传输线路，广泛适用于消费电子、工业控制、通信与计算设备。

二、产品优势

超高 ESD 防护能力：支持 ±30kV 空气 / 接触放电，远超 IEC 61000-4-2 Level 4 标准，同时兼容 IEC 61000-4-4 40A (5/50ns) EFT 防护
大功率抗浪涌：300W 峰值脉冲功率（8/20μs），峰值脉冲电流可达 10A，可有效抑制电压浪涌冲击
双通道防护：单颗器件可保护 2 路单向线路，大幅节省 PCB 空间与 BOM 成本
超低漏电流：nA 级典型漏电流，最大仅 1μA，静态功耗极低，适配电池供电便携设备
低钳位电压：保护阈值低，大幅降低后端敏感芯片的过压应力，防护更可靠
工业级宽温性能：工作结温 - 55℃~+125℃，存储温度 - 55℃~+150℃，环境适应性强
高可靠性与环保：UL 94V-0 阻燃等级，无铅无卤，符合 RoHS 环保标准，MSL 3 湿敏等级

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：15V
反向击穿电压（VBR）：≥16.7V，测试条件为 IT=1mA
反向漏电流（IR）：≤1μA，测试条件为 VRWM=15V
钳位电压（VC）：≤24V@1A（8/20μs 脉冲）；≤35V@10A（8/20μs 脉冲）
结电容（CJ）：典型值 55pF，测试条件为 VR=0V、f=1MHz
ESD 防护等级（VESD）：±30kV，符合 IEC 61000-4-2 空气 / 接触放电标准
EFT 防护能力：40A，符合 IEC 61000-4-4 5/50ns 标准
峰值脉冲功率（PPP）：300W（8/20μs）
峰值脉冲电流（IPP）：10A（8/20μs）
工作结温（TJ）：-55℃ ~ +125℃
存储温度（TSTG）：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOT-23

四、应用领域

手机、手持终端及配套配件
个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、便携仪器
机顶盒、服务器、台式计算机
工业控制设备、数据采集终端
15V 系统的串行 / 并行接口、数据传输线路、I/O 口防护
各类对静电、浪涌敏感的 15V 低压电子系统

五、注意事项

焊接峰值温度最高为 260℃，峰值温度持续时间不得超过 30 秒，避免长时间高温造成器件永久性损坏。
安装时需尽量靠近被保护的接口或线路输入端放置，缩短器件与保护线路的走线长度，减少寄生电感，最大化防护效果。
本品为单向 TVS 阵列，使用时需严格区分正负极方向，不可反向接入电路，否则会失去防护能力甚至造成电路短路损坏。
严禁超过器件的绝对最大额定值使用，长期超额定工况运行会严重影响器件可靠性，甚至造成永久性失效。
器件属于静电敏感器件，生产、存储、装配全过程需做好防静电措施，操作人员需佩戴防静电手环，避免 ESD 提前损伤器件。
布线时优先使用完整地平面，可进一步降低寄生阻抗，优化器件的浪涌泄放与防护性能。

名称

标题

说明

SLPESD15VS2UT SOT-23.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！