SLESD11D3.3CT5G ESD防静电二极管

SLESD11D3.3CT5G是一款低电容瞬态电压抑制器（TVS），旨在为数据、控制或电源线提供静电放电（ESD）保护。SLESD11D3.3CT5G的最大电容为16.5pF，用于保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）4级标准（±15 kV空气放电、±8kV接触放电）、IEC 61000 - 4 - 4（电气快速瞬变 - EFT）（40 A、5/50 ns）、超快充电器件模型（CDM）ESD和电缆放电事件（CDE）等标准。SLESD11D3.3CT5G采用超小型DFN 0603封装。每个SLESD11D3.3CT5G器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD11D3.3CT5G

商品封装:DFN0603-2

包装方式:编带

商品毛重:0.01026克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD11D3.3CT5G 是一款专为 3.3V 系统设计的低电容瞬态电压抑制（TVS）二极管，主打 ESD 静电与浪涌防护功能。器件采用超小型 DFN0603 封装，可对单路 I/O 数据、控制线路提供高效过压保护，满足 IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4 等国际安规标准，凭借极小体积、低钳位、低漏电流的特性，完美适配 PCB 空间受限的便携电子、智能穿戴、IoT 终端等紧凑型设备。

二、产品优势

超高 ESD 防护等级：支持 IEC 61000-4-2 标准 ±30kV 接触放电与 ±30kV 空气放电，同时兼容 IEC 61000-4-4 40A (5/50ns) 电快速瞬变（EFT）防护，防护能力远超行业 Level 4 标准。
大功率抗浪涌性能：峰值脉冲功率可达 80W（8/20μs 波形），可有效抑制浪涌过压冲击，保护后端敏感元器件。
极致微型化封装：采用 DFN0603 超小型封装，尺寸仅 0.6mm×0.3mm×0.3mm，大幅节省 PCB 布板空间，适配超薄、超小型电子设备。
单路线路专用防护：单颗器件可保护 1 路 I/O 数据 / 控制线路，为紧凑型设计提供灵活的防护方案。
优异钳位特性：低钳位电压设计，可大幅降低静电浪涌发生时后端芯片承受的过压应力，防护更可靠。
低漏电流设计：最大反向漏电流仅 1μA，静态功耗极低，适配电池供电的低功耗设备。
高可靠性与环保：UL 94V-0 阻燃等级，无卤素设计，符合 RoHS 环保标准，最高耐焊接温度 260℃/10s。
宽温环境适配：工作温度范围 - 40℃~+125℃，存储温度范围 - 40℃~+150℃，可适应消费级与工业级多种应用场景。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：3.3V
反向击穿电压（VBR）：≥3.6V，测试条件为 IT=1mA
反向漏电流（IR）：≤1.0μA，测试条件为 VRWM=3.3V
钳位电压（VC）：≤6V@1A（8/20μs 脉冲，典型值 4.5V）；≤10V@8A（8/20μs 脉冲）
TLP 钳位电压（VCTLP）：典型值 9V，测试条件为 IPP=16A（IEC61000-4-2 Level 4 等效）
结电容（CJ）：≤16.5pF，测试条件为 VR=0V、f=1MHz
ESD 防护等级（VESD）：±30kV，符合 IEC 61000-4-2 接触 / 空气放电标准
EFT 防护能力：40A，符合 IEC 61000-4-4 5/50ns 标准
峰值脉冲功率（PPP）：80W，测试条件为 8/20μs 波形
工作温度（TOPT）：-40℃ ~ +125℃
存储温度（TSTG）：-40℃ ~ +150℃
封装形式：DFN0603
包装规格：编带盘装，每盘 10000pcs

四、应用领域

个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机、服务器
手机、手持终端及配套配件
便携消费电子、数码相机、音频设备
IoT 终端设备、物联网模组
智能穿戴设备、TWS 耳机、智能手表
3.3V 系统的 I/O 接口、数据传输线路、控制线路防护

五、注意事项

焊接最高温度为 260℃，持续时间不得超过 10 秒，避免长时间高温造成器件永久性损坏。
器件安装时需尽量靠近被保护的接口或线路输入端放置，缩短器件与保护线路的走线长度，减少寄生电感，最大化防护效果。
严禁超过器件的绝对最大额定值使用，长期超额定工况运行会严重影响器件可靠性，甚至造成永久性失效。
器件属于静电敏感器件，生产、存储、装配全过程需做好防静电措施，操作人员需佩戴防静电手环，避免 ESD 提前损伤器件。
布线时优先使用完整地平面，可进一步降低寄生阻抗，优化器件的浪涌泄放与防护性能。
本品专为 3.3V 低压系统设计，不可用于高压强电场景，避免器件击穿失效。

名称

标题

说明

SLESD11D3.3CT5G DFN0603-2.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！