一、产品概述
SLESD108-B1-CSP0201 是一款专为 5V 系统设计的超低电容、双向单路 ESD/TVS 瞬态电压抑制二极管,采用超小型 DFN0603-2L 封装,可对单路双向 I/O 线路提供高效的静电与浪涌过压防护。器件具备超快响应速度、优异钳位特性与极低漏电流,满足 IEC 61000-4-2 Level 4 最高等级 ESD 防护标准,凭借 0.3pF 典型超低电容,完全不影响高速信号传输完整性,是 PCB 空间受限、对信号质量要求严苛的消费电子、通信设备的理想防护方案。
二、产品优势
- 超高等级 ESD 防护:符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准,支持 ±22kV 接触放电、±25kV 空气放电,可有效抵御静电冲击对后端敏感元器件的损坏。
- 极致超低电容:结电容典型值仅 0.3pF,几乎无信号损耗,完美适配 USB 3.0、千兆以太网等高频高速接口。
- 大功率抗浪涌性能:峰值脉冲功率可达 120W(8/20μs 波形),峰值脉冲电流 4.5A,可快速泄放浪涌能量,抑制瞬态过压冲击。
- 双向线路防护:单颗器件可保护 1 路双向 I/O 线路,无极性设计,布线灵活便捷,适配各类差分与单端信号线路。
- 超微型化封装:采用 DFN0603-2L 超小型封装,尺寸极小,大幅节省 PCB 布板空间,适配超薄、超紧凑型电子设备。
- 低漏电流低功耗:最大反向漏电流仅 1.0μA,静态功耗极低,适配电池供电的便携电子与低功耗设备。
- 优异钳位特性:低钳位电压设计,可大幅降低浪涌发生时后端芯片承受的过压应力,防护更可靠。
- 高可靠性与环保合规:UL 94V-0 阻燃等级,无卤素设计,符合 RoHS 环保标准,宽温工作范围可适应多种严苛应用场景。
三、核心参数
- 反向工作电压(VRWM):5.0V
- 反向击穿电压(VBR):≥6.5V,测试条件为 IT=1mA
- 反向漏电流(IR):≤1.0μA,测试条件为 VRWM=5V
- 钳位电压(VC):典型值 12.0V@1A(8/20μs 脉冲);典型值 22.0V@4.5A(8/20μs 脉冲)
- 结电容(CJ):典型值 0.3pF,测试条件为 VR=0V、f=1MHz
- ESD 防护等级(VESD):±22kV(接触放电)、±25kV(空气放电),符合 IEC 61000-4-2 标准
- 峰值脉冲功率(Ppk):120W,测试条件为 tp=8/20μs、25℃
- 峰值脉冲电流(IPP):4.5A,测试条件为 tp=8/20μs、25℃
- 工作温度(TOP):-40℃ ~ +125℃
- 存储温度(TSTG):-55℃ ~ +150℃
- 最高结温(TJ):150℃
- 封装形式:DFN0603-2L
- 包装规格:编带盘装,7 英寸盘,每盘 10000pcs
四、应用领域
- USB 2.0/3.0 高速数据接口防护
- 10/100/1000M 以太网口、网络通信接口防护
- 显示器、平板显示屏等高清显示设备接口防护
- 笔记本电脑、台式机、服务器主板线路防护
- SIM 卡接口、智能卡、ATM 设备接口防护
- 手机、平板、智能穿戴等便携消费电子
- 工控设备、数据采集终端的 I/O 线路防护
- 各类对信号完整性要求高的 5V 高速信号线路防护
五、注意事项
- 焊接最高温度为 260℃,避免长时间高温焊接,防止器件出现永久性损坏。
- 器件安装时需尽量靠近被保护的接口或线路输入端放置,缩短器件与保护线路的走线长度,减少寄生电感,最大化 ESD 防护效果。
- 严禁超过器件的绝对最大额定值使用,长期超额定工况运行会严重影响器件可靠性,甚至造成永久性失效。
- 器件属于静电敏感器件,生产、存储、装配全过程需做好防静电措施,操作人员需佩戴防静电手环,避免 ESD 提前损伤器件。
- 布线时优先使用完整地平面,可进一步降低寄生阻抗,优化器件的浪涌泄放与防护性能。
- 本品专为 5V 低压高速信号系统设计,不可用于高压强电场景,避免器件击穿失效。
- 本品为双向防护器件,无需区分正负极,可灵活接入双向信号线路。