SLESD8D5.0CB1T5G ESD防静电二极管

SLESD8D5.0CB1T5G旨在保护电压敏感元件，使其免受因静电放电（ESD）造成的损坏或闩锁效应。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，为电路板级易受ESD影响的设计提供了一流的保护。由于其尺寸小且采用双向设计，它非常适合用于需要音频线路保护的手机、MP3播放器和便携式应用。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD8D5.0CB1T5G

商品封装:DFN1006-2L

包装方式:编带

商品毛重:0.0133克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD8D5.0CB1T5G 是一款5V 双向单路 ESD/TVS 保护器件，采用 DFN1006-2L 小型封装，专为音频、I/O 等线路提供静电与浪涌防护。器件具备优异钳位能力、低漏电流、快速响应特性，满足 IEC 61000-4-2 最高等级 ESD 标准，适合手机、便携设备等对空间与可靠性要求高的应用。

二、产品优势

高等级 ESD 防护：支持 ±30kV 接触放电与 ±30kV 空气放电，满足 IEC 61000-4-2 Level 4 标准。
稳定抗浪涌：72W 峰值脉冲功率（8/20μs），可有效泄放瞬态过压能量。
双向防护：单路双向保护，无极性，布线更灵活。
低钳位电压：对后端芯片应力小，防护更安全。
低漏电流：静态功耗低，适合电池供电设备。
小型封装：DFN1006-2L 超小体积，节省 PCB 空间。
环保合规：符合 RoHS 要求，无卤素，适配各类消费电子。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：5.0V
反向击穿电压（VBR）：≥6.0V（IT=1mA）
反向漏电流（IR）：≤1.0μA（VRWM=5V）
钳位电压（VC）：典型 8.0V / 最大 10.0V@1A；典型 10.0V / 最大 12.0V@6A（8/20μs）
结电容（CJ）：典型 10pF，最大 15pF（VR=0V，f=1MHz）
峰值脉冲功率（Ppk）：72W（8/20μs）
峰值脉冲电流（IPP）：6A
ESD 等级：±30kV（接触 / 空气，IEC 61000-4-2）
工作温度：-40℃ ~ +125℃
存储温度：-55℃ ~ +150℃
封装：DFN1006-2L

四、应用领域

手机及配件、便携数码设备
个人数字助理（PDA）、笔记本、手持终端
数码相机、MP3 播放器
音频线路、I/O 口、外设接口
对空间与 ESD 防护要求高的 5V 系统

五、注意事项

焊接温度最高 260℃，避免长时间高温损坏器件。
安装时尽量靠近被保护接口放置，缩短走线以提升防护效果。
不可超过最大额定值使用，否则会造成永久性损坏。
属于静电敏感器件，生产、装配、存储需做好防静电措施。
本品为双向保护，无需区分正负极，使用便捷。

名称

标题

说明

SLESD8D5.0CB1T5G DFN1006-2L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！