一、产品概述
SLESD8LH5.0CT5G 是一款5V 双向单路 ESD/TVS 瞬态电压抑制二极管,采用超小型 DFN1006-2L 封装,专为 5V 系统的敏感元器件提供静电与浪涌过压防护。器件具备优异的钳位能力、低漏电流、纳秒级快速响应特性,满足 IEC 61000-4-2 Level 4 最高等级 ESD 防护标准,凭借小体积、双向无极性设计与低电容特性,完美适配手机、MP3 播放器、便携设备的音频线路与 I/O 接口防护需求。
二、产品优势
- 超高等级 ESD 防护:支持 ±25kV 接触放电与 ±25kV 空气放电,完全符合 IEC 61000-4-2 Level 4 国际防护标准,可有效抵御静电冲击对后端芯片的损坏。
- 大功率抗浪涌性能:峰值脉冲功率可达 80W(8/20μs 波形),峰值脉冲电流 4.5A,可快速泄放瞬态浪涌能量,抑制过压冲击。
- 双向无极性防护:单颗器件可保护 1 路双向 I/O 线路,无正负极区分,布线灵活便捷,适配各类单端信号与音频线路。
- 低电容信号友好:结电容典型值仅 3.5pF,最大值 5.0pF,几乎不影响信号传输完整性,适配中高速信号与音频线路防护。
- 低功耗高可靠:最大反向漏电流仅 1.0μA,静态功耗极低,适配电池供电的便携设备;低钳位电压设计,大幅降低浪涌发生时后端元器件的过压应力。
- 超小型化封装:采用 DFN1006-2L 微型封装,尺寸极小,大幅节省 PCB 布板空间,完美适配超薄、超紧凑型便携电子设备。
- 环保合规宽温适配:UL 94V-0 阻燃等级,无卤素设计,符合 RoHS 环保标准;工作温度范围 -40℃~+125℃,可适应多种消费级应用场景。
三、核心参数
- 反向工作电压(VRWM):5.0V
- 反向击穿电压(VBR):≥6.0V,测试条件为 IT=1mA
- 反向漏电流(IR):≤1.0μA,测试条件为 VRWM=5V
- 钳位电压(VC):典型值 10.0V / 最大值 12.0V@1A(8/20μs 脉冲);典型值 15.0V / 最大值 18.0V@4.5A(8/20μs 脉冲)
- 结电容(CJ):典型值 3.5pF,最大值 5.0pF,测试条件为 VR=0V、f=1MHz
- 峰值脉冲功率(Ppk):80W,测试条件为 tp=8/20μs、25℃
- 峰值脉冲电流(IPP):4.5A,测试条件为 tp=8/20μs、25℃
- ESD 防护等级(VESD):±25kV(接触放电 / 空气放电),符合 IEC 61000-4-2 标准
- 工作温度(TOP):-40℃ ~ +125℃
- 存储温度(TSTG):-55℃ ~ +150℃
- 最高结温(TJ):150℃
- 封装形式:DFN1006-2L
- 包装规格:编带盘装,7 英寸盘,每盘 10000pcs
四、应用领域
- 手机、手持终端及配套配件
- 个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、手持便携设备
- 数码相机、MP3 播放器、便携音频设备
- 外设接口、I/O 线路、音频线路防护
- 对 PCB 空间与 ESD 防护有要求的 5V 低压电子系统
五、注意事项
- 焊接最高温度为 260℃,避免长时间高温焊接,防止器件出现永久性损坏。
- 器件安装时需尽量靠近被保护的接口或线路输入端放置,缩短器件与保护线路的走线长度,减少寄生电感,最大化 ESD 防护效果。
- 本品为双向防护器件,无需区分正负极,可灵活接入双向信号线路,使用便捷。
- 严禁超过器件的绝对最大额定值使用,长期超额定工况运行会严重影响器件可靠性,甚至造成永久性失效。
- 器件属于静电敏感器件,生产、存储、装配全过程需做好防静电措施,操作人员需佩戴防静电手环,避免 ESD 提前损伤器件。
- 布线时优先使用完整地平面,可进一步降低寄生阻抗,优化器件的浪涌泄放与防护性能。