SLESD3V3U4ULC ESD防静电二极管

SLESD3V3U4ULC旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。

品牌名称:Slkor(萨科微)

商品型号:SLESD3V3U4ULC

商品封装:DFN2510-10L

包装方式:编带

商品毛重:0.037667克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

SLESD3V3U4ULC 是一款3.3V、四通道、超低电容 ESD/TVS 保护阵列，采用 DFN2510-10L 小型封装，专为高速接口与高频线路提供静电、浪涌、电快速瞬变防护。器件满足 IEC 61000 全系列防护标准，响应快、钳位低、漏电流小，适合 HDMI、USB、以太网等对信号完整性要求极高的高速设备使用。

二、产品优势

四通道同步防护：单颗芯片可保护 4 路 I/O，节省 PCB 空间与 BOM 成本。
极致超低电容：I/O 对地典型 0.6pF，通道间典型 0.3pF，不干扰高速信号。
全维度安规防护：支持 IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 EFT、IEC 61000-4-5 浪涌三重防护。
高等级 ESD 能力：±12kV 接触放电、±17kV 空气放电，达到 Level 4 标准。
低钳位低应力：保护阈值低，对后端芯片更安全。
低漏电流设计：静态功耗低，适合便携与电池供电设备。
微型封装适配：DFN2510-10L 超薄超小，适合高密度板级设计。
环保高可靠：无卤素、RoHS、UL 94V-0 阻燃，工业级宽温稳定。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：3.3V
反向击穿电压（VBR）：≥4.0V，测试条件 IT=1mA
反向漏电流（IR）：≤1μA，测试条件 VRWM=3.3V
钳位电压（VCL）：典型 7.0V~ 最大 9.0V@1A；典型 13.0V~ 最大 15.0V@8A（8/20μs）
结电容（CJ）：I/O 对地典型 0.6pF（最大 1.0pF）；通道间典型 0.3pF（最大 0.5pF）
峰值脉冲功率（Ppk）：120W（8/20μs）
峰值脉冲电流（IPP）：8A
ESD 防护：±12kV 接触、±17kV 空气（IEC 61000-4-2）
EFT 防护：40A（5/50ns）
浪涌防护：4.5A（8/20μs）
工作温度：-40℃~+125℃
存储温度：-55℃~+150℃
封装：DFN2510-10L

四、应用领域

HDMI、USB 2.0 高速接口
10/100/1000M 以太网口
显示器、平板、笔记本电脑
SIM 卡端口、ATM 接口设备
高速数据传输、差分信号线路
对信号完整性要求高的 3.3V 系统

五、注意事项

焊接温度最高 260℃，避免长时间高温损坏器件。
安装时尽量靠近被保护接口放置，缩短走线提升防护效果。
接地引脚需就近接主地，优化浪涌泄放路径。
严禁超过最大额定值使用，避免永久性失效。
属于静电敏感器件，生产、装配、存储需做好防静电措施。
本品为高速信号专用，不适合高压强电场景。

名称

标题

说明

SLESD3V3U4ULC DFN2510-10L.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！