TPD4E001DRLR-SL ESD防静电二极管

TPD4E001DRLR-SL 电压事件。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使这些器件非常适合在电路板空间有限的设计中用于 ESD 保护。

品牌名称：Slkor(萨科微)

商品型号：TPD4E001DRLR-SL

商品封装：SOT-563

包装方式：编带

商品毛重：0.030333克(g)

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产品详情产品文档

一、产品概述

TPD4E001DRLR-SL 是一款5V 四通道超低电容 ESD/TVS 保护阵列，采用 SOT-563 超小型封装，专为高速 I/O 与高频信号线路提供静电、电快速瞬变及浪涌防护。器件具备优异钳位能力、低漏电流、超快响应速度，满足 IEC 61000 系列防护标准，适合空间紧凑、对信号完整性要求高的便携电子与通信设备使用。

二、产品优势

四通道集成防护：单颗器件可同时保护 4 路 I/O 线路，节省 PCB 空间与 BOM 成本。
超低电容设计：I/O 对地典型 0.6pF，通道间典型 0.3pF，不影响高速信号质量。
全维度安规防护：支持 IEC 61000-4-2 ESD、IEC 61000-4-4 EFT、IEC 61000-4-5 浪涌三重防护。
高等级 ESD 能力：±12kV 接触放电、±17kV 空气放电，达到 Level 4 标准。
低钳位低应力：防护阈值低，对后端敏感芯片更安全。
低漏电流低功耗：最大 1μA 漏电流，适合电池供电设备。
微型封装适配：SOT-563 超小体积，适合高密度板级设计。
环保高可靠：无卤素、RoHS 合规、UL 94V-0 阻燃，宽温稳定工作。

三、核心参数

反向工作电压（VRWM）：5.0V
反向击穿电压（VBR）：≥6.0V，测试条件 IT=1mA
反向漏电流（IR）：≤1.0μA，测试条件 VRWM=5V
钳位电压（VCL）：典型 8.5V / 最大 10.0V@1A；典型 12.0V / 最大 15.0V@4.0A（8/20μs）
结电容（CJ）：I/O 对地典型 0.6pF（最大 0.8pF）；通道间典型 0.3pF（最大 0.4pF）
峰值脉冲功率（Ppk）：60W（8/20μs）
峰值脉冲电流（IPP）：4.0A
ESD 防护：±12kV 接触、±17kV 空气（IEC 61000-4-2）
EFT 防护：40A（5/50ns）
浪涌防护：4.0A（8/20μs）
工作温度：-40℃ ~ +125℃
存储温度：-55℃ ~ +150℃
封装：SOT-563

四、应用领域

手机、无绳电话及配套配件
笔记本电脑、手持设备、个人数字助理（PDA）
便携仪器仪表、数码相机
高速 I/O 接口、数据传输线路
对信号完整性与空间要求高的 5V 系统

五、注意事项

焊接温度最高 260℃，避免长时间高温损坏器件。
安装时尽量靠近被保护接口放置，缩短走线提升防护效果。
接地引脚需就近接主地，优化浪涌泄放路径。
严禁超过最大额定值使用，避免永久性失效。
属于静电敏感器件，生产、装配、存储需做好防静电措施。
本品为高速信号专用，不适合高压强电场景。

名称

标题

说明

TPD4E001DRLR-SL SOT-563.pdf

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深圳市萨科微半导体有限公司

技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，深耕第三代半导体碳化硅功率器件技术。产品主要有二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从最初的IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的高新科技企业。“Slkor”品牌在国际上的影响力和美誉度日增，为全世界数万家客户提供产品和配套的技术服务！